[实用新型]通孔半导体外延薄膜贴片式封装无效

专利信息
申请号: 201020002628.2 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN201741715U 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 彭晖 申请(专利权)人: 金芃;彭晖
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 外延 薄膜 贴片式 封装
【权利要求书】:

1.一种通孔半导体外延薄膜贴片式封装,其特征在于,所述的通孔半导体外延薄膜贴片式封装包括:

-封装管壳;其中,所述的封装管壳包括:绝缘支架;所述的绝缘支架内部形成多个通孔,所述的通孔中填充导电物质;所述的绝缘支架的顶部上形成至少一个顶部第一电极和至少一个顶部第二电极;所述的绝缘支架的底部上形成分别与所述的顶部第一电极和所述的顶部第二电极相对应的底部第一电极和底部第二电极;所述的顶部第一电极、至少一个通孔和所述的底部第一电极形成电连接,形成第一电极;所述的顶部第二电极、至少一个通孔和所述的底部第二电极形成电连接,形成第二电极;所述的第一电极和所述的第二电极互相电绝缘;所述的底部第一电极和所述的底部第二电极分别与外界电源电连接;

-至少一个半导体外延薄膜;所述的半导体外延薄膜包括:第一类型限制层,活化层和第二类型限制层;所述的活化层层叠在所述的第一类型限制层和所述的第二类型限制层之间;所述的半导体外延薄膜键合在所述的顶部第一电极上;

-钝化层;所述的钝化层层叠在所述的封装管壳和所述的半导体外延薄膜上;所述的钝化层在所述的半导体外延薄膜的上方和所述的顶部第二电极的上方的预定的位置上具有窗口;

-透明电极;其中,所述的透明电极通过所述的钝化层在所述的半导体外延薄膜上方的窗口,层叠在所述的半导体外延薄膜上;通过所述的钝化层在所述的顶部第二电极上方的窗口,层叠在所述的顶部第二电极上,使得所述的半导体外延薄膜的表面通过所述的透明电极与所述的顶部第二电极电联接。 

2.权利要求1所述的通孔半导体外延薄膜贴片式封装,其特征在于,所述的半导体外延薄膜的表面被粗化或形成光子晶体结构。

3.权利要求1所述的通孔半导体外延薄膜贴片式封装,其特征在于,所述的透明电极具有单层或多层结构。

4.权利要求3所述的通孔半导体外延薄膜贴片式封装,其特征在于,所述的透明电极的每一层的材料是从一组材料中选出,该组材料包括,导电氧化物材料和金属材料。

5.权利要求1所述的通孔半导体外延薄膜贴片式封装,其特征在于,所述的透明电极的表面被粗化。

6.权利要求1所述的通孔半导体外延薄膜贴片式封装,其特征在于,所述的透明电极的表面形成绝缘的保护层。

7.权利要求5所述的通孔半导体外延薄膜贴片式封装,其特征在于,所述的绝缘的保护层的表面被粗化。 

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