[实用新型]金属氧化物场效应二极管及MOS二极管

权利要求书

1.金属氧化物场效应二极管，以硅片为基材，其特征在于，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；

源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；

所述硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；

所述源N+区、P+区和P阱区均设于所述高阻区的上部；

所述正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；

所述栅极和源极相互短接；

所述源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；

P+区还同P阱区及正极片相连；

P阱区还同栅及所述高阻区相连。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物场效应二极管，其特征在于，所述栅包括栅氧层和多晶硅层，所述栅氧层与源N+区、P阱区及所述高阻区相连；所述栅氧层和多晶硅层还分别与正极片相连；多晶硅层的顶面为栅极。

3.一种包含权利要求1所述金属氧化物场效应二极管的MOS二极管，其特征在于，它包含至少二个所述一种金属氧化物场效应二极管，相互并联集成于所述硅片上。

4.根据权利要求3所述的MOS二极管，其特征在于，所述一种金属氧化物场效应二极管中的栅呈条状，至少二个呈条状的栅相互间隔排列呈正方形形成一个元胞集合。

5.根据权利要求4所述的MOS二极管，其特征在于，所述元胞集合至少有两个，相互间呈90°布设。

6.根据权利要求3、4或5所述的MOS二极管，其特征在于，所述正极片为铝金属层，或钛、镍和银三层金属层，其中钛层为接触硅片顶面的一层，或铬、镍和银三层金属层，其中钛层为接触硅片顶面的一层，或钛、镍、钨和银四层金属层，其中钛层为接触硅片顶面的一层；负极片为钛、镍和银三层金属层，其中钛层为接触漏N+区的底面的一层，或铬、镍和银三层金属层，其中钛层为接触漏N+区的底面的一层，或钛、镍、钨和银四层金属层，其中钛层为接触漏N+区的底面的一层。