[实用新型]一种基准电压和偏置电流产生电路

权利要求书

1.一种基准电压和偏置电流产生电路，其特征在于，包含依次电路连接的启动截止电路(101)、偏置电流产生电路(102)、基准电压产生电路(103)，还包含电路连接所述偏置电流产生电路(102)的电流镜电路(104)、分别电路连接所述启动截止电路(101)、偏置电流产生电路(102)、基准电压产生电路(103)和电流镜电路(104)的低压偏置电源电路(105)，以及，电路连接所述电流镜电路(104)的偏置电流输出电路(106)；

偏置电流产生电路(102)产生偏置电流PTAT；

偏置电流流过基准电压产生电路(103)，产生基准电压VBG；

电流镜电路(104)将偏置电流PTAT镜象复制给低压偏置电源电路(105)和偏置电流输出电路(106)，由低压偏置电源电路(105)给偏置电流产生电路(102)、基准电压产生电路(103)和电流镜电路(104)提供电流，偏置电流输出电路(106)则将偏置电流PTAT传输给功率芯片的内部电路和其他电路；

启动截止电路(101)产生启动电流传输给偏置电流产生电路(102)，使得偏置电流产生电路(102)导通并产生偏置电流PTAT，偏置电流又经过电流镜电路(104)使低压偏置电源电路(105)导通并得到正确偏置，使得低压偏置电源电路(105)可以对偏置电流产生电路(102)、基准电压产生电路(103)和电流镜电路(104)进行供电，一旦低压偏置电源电路(105)导通，启动截止电路(101)产生截止信号，启动结束，整个电路进入正常工作状态；

所述的偏置电流产生电路(102)和基准电压产生电路(103)为低压电路；

所述的电流镜电路(104)、低压偏置电源电路(105)和偏置电流输出电路(106)为高压电路。

2.如权利要求1所述的一种基准电压和偏置电流产生电路，其特征在于，P沟道金属氧化物半导体管MP1，MP2，N沟道金属氧化物半导体管MN1，MN2，三级管Q1，Q2，P沟道金属氧化物半导体管MP8，以及电阻R1构成了偏置电流产生电路(102)，产生的PTAT电流为：

Iptat＝ΔVBE/R1，

其中，ΔVBE＝VBE_Q2-VBE_Q1，VBE_Q1和VBE_Q2分别是三级管Q1和Q2的基级-发射级电压。

3.如权利要求2所述的一种基准电压和偏置电流产生电路，其特征在于，P沟道金属氧化物半导体管MP3，电阻R2和三级管Q3构成了基准电压产生电路(103)，电流镜MP3复制偏置电流产生电路(102)产生的PTAT 电流，并使该偏置电流流过电阻R2和三级管Q3，从而产生基准电压为：

VBG＝VBE_Q3+(R2/R1)×ΔVBE，

其中，VBE_Q3是三级管Q3的基级-发射级电压。