[实用新型]一种高压变频器功率单元的旁通检测电路

权利要求书

1.一种高压变频器功率单元的旁通检测电路，通过检测旁通电路中可控硅的两侧压降的变化来判断可控硅是否导通，并上报控制系统，其特征在于包括：

充放电电路，可控硅断开时，逆变输出电压给电容(C1)充电，且可控硅导通时，电容(C1)放电；

反馈电路，电容(C1)充电时，三极管(V5)基极获得导通电压时，其集电极上的电压发生改变，且电容(C1)放电时，三极管(V5)基极丧失导通电压，其集电极上的电压为一设定电压；

信号输出端(BYPA)，三极管(V5)集电极上的电信号就是信号输出端(BYPA)的电信号，其与控制系统相连。

2.如权利要求1所述一种高压变频器功率单元的旁通检测电路，其特征在于：

充放电电路包括：分压电阻(R1、R2、R3、R4)、电容(C1)、第四稳压管(V4)和二极管(V1、V2)，逆变输出电压流经分压电阻(R1、R2、R3、R4)后，给电容(C1)充电，第四稳压管(V4)并联在电容(C1)的两端，其正向导通方向与电容(C1)的充电方向相反，二极管(V1、V2)与分压电阻(R1、R2、R3、R4)并联，且二极管(V1、V2)的正向导通方向与电容(C1)的充电方向相反；

反馈电路包括：三极管(V5)、其集电极经过(R5)与可控硅的负极相连，其基极经过(R6)和第三稳压管(V3)与电容(C1)的正极相连，电阻(R7)并联在基极和发射极之间，电容(C2)并联在集电极和发射极之间。

3.如权利要求1所述一种高压变频器功率单元的旁通检测电路，其特征在于：

三极管(V5)的集电极经电阻(R5)后与一固定电平相连；

电容(C1)的负极、稳压管(V4)的正极、电阻(R7)的一端、三极管(V5)的发射极、电容(C2)的负极都与同一固定低电平相连。

4.如权利要求1所述一种高压变频器功率单元的旁通检测电路，其特征在于：

三极管(V5)采用IGBT或MOSFET来代替。