[实用新型]具有主从式模拟讯号传递功能的多重芯片模块无效

专利信息
申请号: 201020106916.2 申请日: 2010-01-27
公开(公告)号: CN201638573U 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 唐健夫;陈曜洲 申请(专利权)人: 立锜科技股份有限公司
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G11C11/41;G11C7/10
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 主从 模拟 讯号 传递 功能 多重 芯片 模块
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种具有主从式模拟讯号传递功能的多芯片模块(Multi-Chip Module,MCM),特别是指利用主从式控制,将模拟讯号传递于芯片之间的多芯片模块,以改善模拟讯号传递及芯片打线(wirebonding)交错问题,以及相关的讯号转换电路及其控制电路。

背景技术

多芯片模块是指将系统所需的多个芯片整合为单一模块,以提高构装密度、减少讯号延迟问题、降低功率、以及降低成本等。多芯片模块技术目前已经广泛地被采用,并且其发展应用非常具有成长的潜力。

在多芯片模块的现有技术中,讯号的传递是由芯片间的导线达成,当同一讯号要传递至不同芯片时,其打线的结果常常会出现交错,造成打线良率上的问题,如图1所示。

对此,现有技术的美国专利第4,627,030号案提出一种集成电路双端口内存。该案的讯号传递特征在于,一主控芯片提供一输出讯号,提供给至少一个受控芯片,因此该输出讯号可传送至一个以上的受控芯片。如图2所示,一主控芯片MASTER自输入接脚EA及EB接收存取要求,且经由输出接脚ESA或ESB提供控制讯号给受控芯片SLAVE1及SLAVE2,两受控芯片的输入接脚都并接到主控芯片MASTER的输出接脚ESA,两受控芯片的输入接脚EB都并接到主控芯片MASTER的输出接脚ESB。该作法的缺点是,该传递方式只适用于传递数字控制讯号,且必须为电压讯号,而不适合传递模拟讯号或是电流讯号。

有鉴于以上所述,本实用新型即针对现有技术的不足,提出一种利用主从式控制,将模拟讯号传递于芯片之间的多芯片模块,不仅可改善模拟讯号传递问题,同时也改善多芯片模块中,打线交错的问题。

发明内容

有鉴于以上所述,本实用新型目的之一在于克服现有技术的不足与缺陷,提出具有主从式模拟讯号传递功能的多芯片模块,即一种可利用主从式控制,将模拟讯号传递于多个芯片之间的多芯片模块,且该模拟讯号可为电流讯号或电压讯号、该多个芯片之间可为串接、并接、或串并接综合。

为达上述目的,就其中一个观点言,本实用新型提供了一种具有主从式模拟讯号传递功能的多芯片模块,包含:一主控芯片,其具有一第一设定接脚,可供接收一模拟设定讯号而在该主控芯片内部产生一模拟设定值,并将该模拟设定值复制产生一第一模拟输出;以及一第一受控芯片,其接收该主控芯片的第一模拟输出,并根据之产生该第一受控芯片内部的设定值。

上述具有主从式模拟讯号传递功能的多芯片模块,其中该模拟设定讯号可为电压讯号,在其中一种实施例中,该主控芯片可包括:一电压转电流电路,将该模拟设定讯号转换为电流讯号;以及一电流复制电路,将该电流讯号复制产生前述第一模拟输出。

在另一种实施例中,该主控芯片可包括:一电压转电流电路,将该模拟设定讯号转换为电流讯号;一电流复制电路,将该电流讯号复制产生前述第一模拟输出;以及一电流转电压电路,将该复制的电流讯号转换为电压讯号作为前述第一模拟输出。

所述电压转电流电路例如为源极追随器,而电流复制电路例如为电流镜。

第一受控芯片可为与主控芯片相同或不同的结构。

芯片模块中可包含多个并接的第一受控芯片,共同接收前述第一模拟输出;并可包含第二受控芯片,与第一受控芯片串接。

在较佳实施例中,该主控芯片更包括一第一输出接脚,可供传递前述第一模拟输出至该第一受控芯片,且所述第一设定接脚与该第一输出接脚位于该主控芯片的不同侧。

本实用新型可运用于需要模拟讯号传递的串接或并接多芯片模块电路中。

下面通过具体实施例详加说明,当更容易了解本实用新型的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1标出现有技术的打线交错问题;

图2标出美国专利第4,627,030号案所提出的电路架构;

图3标出本实用新型的一个实施例;

图4标出主控芯片31的一个实施例;

图5标出主控芯片31的另一个实施例;

图6、7标出图4电路的更详细实施例;

图8、9标出图5电路的更详细实施例;

图10-13标出第一受控芯片32的数个实施例;

图14-16标出本实用新型的数个实施例;

图17显示本实用新型改善了打线交错问题。

图中符号说明

10          先前技术芯片模块

11          第一芯片

12          第二芯片

13          第三芯片

20          先前技术芯片模块

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