[实用新型]一种等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置无效
| 申请号： | 201020113632.6 | 申请日： | 2010-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN201655344U | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王波;段亚飞;张颖;吕广宏 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G21C17/00 | 分类号： | G21C17/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉 |
| 地址： | 100190*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 内壁 材料 损伤 状态 实时 监测 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置，其特征在于包括：谐振复合元件、水冷屏蔽壳、导线及谐振频率测量仪；所述谐振复合元件是能够随着内壁材料性能状态的变化而产生谐振频率变化的元件，它包括片状压电晶体片、内壁材料薄层、电极和防护层，在片状压电晶体片的一个表面上复合上一层与之紧密接触的内壁材料薄层，片状压电晶体片的另一个表面上复合两个电极，从而组成一个谐振复合元件；谐振复合元件的侧面和背面是零电位的水冷屏蔽壳；谐振复合元件经由两个电极分别与两路导线的一端连接，两路导线的另一端连接到谐振频率测量仪。
2.根据权利要求1所述的等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置，其特征在于：在所述片状压电晶体和内壁材料薄层之间还复合一层片状压电晶体和内壁材料薄层紧密接触的防护层。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置，其特征在于：所述内壁材料薄层的厚度为50纳米至100微米。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置，其特征在于：所述片状压电晶体片的厚度为0.05毫米至2毫米的范围；所述防护层的厚度为10纳米至100微米的范围。
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