[实用新型]半导体器件散热性能测试装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件散热性能测试装置。 

背景技术

MOS-FET、TRANSISTOR、REGULATOR 等大功率半导体器件，经常由于高温老化而烧坏。损坏后的不良品DECAP后发现晶片表面均有烧伤。为了测试这些半导体器件的散热性能，传统的方法是购买专门的热阻测试机，如图1所示，通过测试△VBE，△VDS来筛出热阻较大的产品。但此类热阻测试设备价格昂贵且只能检出散热不良的产品，但不能检测出由于温度升高后引起的半导体器件主要电性参数变化较大的不良品。 

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体器件散热性能测试装置，该装置不仅有利于测试出半导体器件的散热性能，而且结构简单，使用效果好。 

本实用新型的目的是这样实现的：一种半导体器件散热性能测试装置，其特征在于：包括半导体分立器件测试系统，所述半导体分立器件测试系统的测试站上连接有直流电源，以通过加载直流电源使待测产品内部温度升高，测取温度变化前后的各参数变化率来判定待测产品的散热性能。

本实用新型的有益效果是不仅可以筛出散热异常的产品，还可以筛出实际应用时由于产品发热所导致电性主要参数变化较严重的产品，这是热阻测试机所无法做到的，从而更加全面地检出有散热问题及高温下主要电性参数变化较大的产品，提高了产品在高温工作时的可靠性。此外，该测试装置结构简单，造价低，易于操作，使用效果好，具有广阔的市场应用前景。 

附图说明

图1是传通热阻测试机及通用系统的结构示意图。 

图2是本实用新型实施例的结构示意图。 

图3是本实用新型实施例中待测产品为MOS-FET的测试原理图。 

图4是本实用新型实施例中待测产品为TRANSISTOR的测试原理图。 

图5是本实用新型实施例中待测产品为REGULATOR的测试原理图。 

具体实施方式

本实用新型的半导体器件散热性能测试装置，如图2所示，包括半导体分立器件测试系统，所述半导体分立器件测试系统的测试站上连接有直流电源，以通过加载直流电源使待测产品内部温度升高，测取温度变化前后的各参数变化率来判定待测产品的散热性能。 

上述待测产品为MOS-FET管产品，通过测取MOS-FET管产品RDSON值随温度变化的大小来测试待测MOS-FET管产品的散热性能。 

上述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源加到待测产品的D 与S 极，待测产品G与S极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加载； 

外部电源接线方式：外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器K113和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。 

上述待测产品为TRANSISTOR管产品，通过测取TRANSISTOR管产品HFE值随温度变化的大小来测试待测TRANSISTOR管产品的散热性能。 

上述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，把外接的直流电源加到待测产品的C 与E 极上，待测产品B 与E极的电压由JUNO DTS-1000测试系统内部加载； 

外部电源接线方式：外部电源的负极接到JUNO DTS-1000测试系统的测试站内部的继电器K202上端，电源正极接到K210上端；继电器K202、K210的下端分别接到继电器K113和K109上；所述各继电器均为测试站内部的。 

上述待测产品为REGULATOR管产品，通过测取REGULATOR管产品Vout值随温度变化的大小来测试待测REGULATOR管产品的散热性能。 

上述半导体分立器件测试系统为JUNO DTS-1000测试系统时，所述JUNO DTS-1000测试系统的测试站连接外部电源的正极接到继电器K310 上端，K310下端与C短接，电源负极接到K311下端，K311上端与B极短接，以通过闭合K310、K311把外部电源加到REGULATOR管产品的Vin 与GND 端，通过闭合K203 把外接的负载电阻接到REGULATOR的Vout 与GND上。