[实用新型]正激变换器用同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路有效

专利信息
申请号: 201020116591.6 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN201608647U 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 卢军 申请(专利权)人: 北京星原丰泰电子技术有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 胡福恒
地址: 102206 北京市昌*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 激变 器用 同步 mosfet 栅极 电压 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种正激变换器用同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路,用于对正激变换器中变压器次级侧的一同步MOSFET的栅极电压进行钳位,其特征在于:它包括一MOS场效晶体管,一基准电压建立电路与一第二电阻并联后连接在该MOS场效晶体管的漏极与栅极之间,该基准电压建立电路由一电容与一第一电阻串联构成,该MOS场效晶体管的漏极、该基准电压建立电路和该第二电阻的公共点引出作为该同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路的输入端子,该输入端子用于与该同步MOSFET的栅极所对应的变压器次级侧输出端子连接,该MOS场效晶体管的源极作为该同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路的输出端子,该输出端子用于与该同步MOSFET的栅极连接,该MOS场效晶体管的栅极、该基准电压建立电路和该第二电阻的公共点与一稳压二极管的输出端连接,该稳压二极管的输入端作为该同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路的公共端子,该公共端子用于与该同步MOSFET的源极连接。

2.根据权利要求1所述的同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路,其特征在于:所述MOS场效晶体管的源极与漏极之间连接一二极管,该二极管的输入端与所述MOS场效晶体管的源极连接,该二极管的输入端与所述MOS场效晶体管的源极的公共点引出作为所述同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路的输出端子,该二极管的输出端、所述MOS场效晶体管的漏极、所述基准电压建立电路和所述第二电阻的公共点引出作为所述同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路的输入端子。

3.根据权利要求1或2所述的同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路,其特征在于:所述MOS场效晶体管为N沟道型MOS场效晶体管。

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