[实用新型]突波电流抑制装置及使用其的电子设备

权利要求书

1.一种突波电流抑制装置，连接于电子设备的电源与系统电路之间，用于抑制所述电子设备开机时的突波电流，其特征在于，所述突波电流抑制装置包括：

第一供电电路，连接于所述电子设备的电源与系统电路之间，用于在所述电子设备开机时向所述系统电路供电，所述第一供电电路包括：

阻抗元件，用于抑制突波电流；及

单向开关，与所述阻抗元件串联，用于阻挡电流从所述系统电路流向所述电源；及

第二供电电路，连接于所述电源与所述系统电路之间，用于在所述电源达到预定电压后向所述系统电路供电，所述第二供电电路包括：

开关元件，包括控制端、输入端及输出端，其中，所述控制端连接所述电源，所述输入端连接所述电源，所述输出端连接所述系统电路；及

稳压元件，与所述电源及所述开关元件的控制端相连，用于在所述电源达到所述预定电压后稳压，并控制所述开关元件导通；

其中，所述单向开关的导通压降大于所述开关元件的导通压降。

2.如权利要求1所述的突波电流抑制装置，其特征在于，所述阻抗元件包括：

第一电阻；及

第二电阻，与所述第一电阻并联，并连接于所述电源与所述单向开关之间。

3.如权利要求1所述的突波电流抑制装置，其特征在于，所述单向开关为二极管，其阳极连接所述阻抗元件，阴极连接所述系统电路。

4.如权利要求1所述的突波电流抑制装置，其特征在于，所述稳压元件为齐纳二极管，其阳极接地，阴极连接所述电源。

5.如权利要求4所述的突波电流抑制装置，其特征在于，所述开关元件为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述控制端为栅极，所述输入端为源极，所述输出端为漏极，所述栅极连接所述齐纳二极管的阴极。

6.如权利要求1所述的突波电流抑制装置，其特征在于，还包括第三电阻，连接于所述电源与所述稳压元件与所述开关元件的控制极之间。

7.一种电子设备，包括系统电路，其特征在于，所述电子设备还包括：

如权利要求1至6任意一项所述的突波电流抑制装置，用于向所述系统电路供电，并抑制所述电子设备开机时的突波电流。