[实用新型]可控硅器件的平面终端钝化结构有效
| 申请号： | 201020123884.7 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN201699004U | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;冯东明;高善明;李建立 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/316 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214431 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控硅 器件 平面 终端 钝化 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种可控硅器件的平面终端钝化结构，其特征在于所述结构包括芯片硅衬底层(1)，在所述芯片硅衬底层(1)表面复合有钝化层(2)，在所述钝化层(2)表面依次复合有第一保护层(3)、第二保护层(4)和第三保护层(5)，且在所述芯片硅衬底层(1)表面留出阴极和门极引线孔窗口；所述钝化层(2)材料采用半绝缘掺氧多晶硅SIPOS。
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