[实用新型]低热阻LED无效
| 申请号： | 201020126986.4 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN201623180U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 施振浩;蔡铭;吴旭华 | 申请（专利权）人： | 杭州妙影微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L25/075 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人： | 戴晓翔 |
| 地址： | 310007 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低热 led | ||
【权利要求书】：
1.低热阻LED，包括LED芯片(101)，与LED芯片(101)配合的热沉(103)，其特征在于热沉(103)上镀有真空镀膜(102)，该真空镀膜(102)与LED芯片(101)焊接配合。
2.根据权利要求1所述的低热阻LED，其特征在于所述的真空镀膜(102)为真空离子蒸镀膜，或者为真空溅射镀膜，所述真空镀膜(102)的厚度与热沉(103)表面粗糙度成正比关系，真空镀膜(102)与热沉(103)之间无间隙配合。
3.根据权利要求1或2所述的低热阻LED，其特征在于所述的真空镀膜(102)为低熔点金属或者合金。
4.根据权利要求3所述的低热阻LED，其特征在于低熔点的所述真空镀膜(102)为锡或者为铅锡合金。
5.根据权利要求3所述的低热阻LED，其特征在于所述的热沉(103)为高导热热沉。
6.根据权利要求4所述的低热阻LED，其特征在于所述的热沉(103)为高导热热沉。
7.根据权利要求5所述的低热阻LED，其特征在于高导热的所述热沉(103)为铜、或为铝、或为银、或为陶瓷、或为碳基底。
8.根据权利要求6所述的低热阻LED，其特征在于高导热的所述热沉(103)为铜、或为铝、或为银、或为陶瓷、或为碳基底。
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