[实用新型]一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构无效
| 申请号： | 201020134238.0 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN201623156U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李国发;陈俊毅;翁加林 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qfn dfn 无基岛 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构，包括晶粒(1)、导电焊盘(2)、金线(3)以及环氧树脂(4)，其特征在于：所述导电焊盘(2)中间区域设有至少一个中间引脚(5)，该中间引脚上部设有上部半腐蚀缺口(10)，该中间引脚(5)位于所述晶粒(1)正下方，与所述晶粒(1)之间涂有绝缘胶层(6)，该中间引脚(5)与位于所述导电焊盘(2)内并延伸到其边缘的导电连茎(7)的一端连接，该导电连茎(7)的另一端与晶粒(1)通过金线(3)连接，该导电连茎(7)下部设有下部半腐蚀缺口(8)；
所述导电焊盘(2)边缘区域设有至少一个边缘引脚(9)，该边缘引脚(9)与所述晶粒(1)之间涂有绝缘胶层(6)，且通过金线(3)与所述晶粒(1)连接，其余封装空间中填充所述环氧树脂(4)。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述边缘引脚(9)上部设有上部半腐蚀缺口(10)，该边缘引脚(9)与位于所述导电焊盘(2)内并延伸到其边缘的导电连茎(7)连接，该导电连茎(7)下部设有下部半腐蚀缺口(8)。
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