[实用新型]一种直拉硅单晶生长的热场无效
| 申请号： | 201020138860.9 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN201626998U | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 张志强;黄振飞;黄强 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直拉硅单晶 生长 | ||
1.一种直拉硅单晶生长的热场，包括炉体(1)，炉体(1)内具有炉腔(2)，炉腔(2)的底部设置有保温底板(15)，保温底板(15)上固接有保温筒(6)，保温筒(6)的外侧附有侧保温毡(7)，保温筒(6)上盖设保温盖板(3)，在保温盖板(3)上架设导流筒(5)，在保温筒(6)、保温底板(15)和保温盖板(3)构成的保温空间内设置加热器(11)和坩埚，其特征是：在所述的侧保温毡(7)的上部设置上排气室(4)，侧保温毡(7)的下部设置下排气室(13)，上排气室(4)和下排气室(13)之间通过导气管(8)连通，在保温筒(6)上开设通孔，上排气室(4)通过保温筒(6)上的通孔和保温筒(6)内腔相通，在炉体(1)的下部设置抽气口(17)，下排气室(13)和抽气口(17)相通。
2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶生长的热场，其特征是：所述的上排气室(4)和下排气室(13)为环状空腔构件。
3.根据权利要求2所述的直拉硅单晶生长的热场，其特征是：所述的上排气室(4)和下排气室(13)的材质为石墨。
4.根据权利要求1或2所述的直拉硅单晶生长的热场，其特征是：所述的连通上排气室(4)和下排气室(13)的导气管(8)在侧保温毡(7)内沿圆周均匀分布。
5.根据权利要求4所述的直拉硅单晶生长的热场，其特征是：所述的导气管(8)的数量有4~8个。
6.根据权利要求4所述的直拉硅单晶生长的热场，其特征是：所述的导气管(8)的直径为20~30mm。
7.根据权利要求4所述的直拉硅单晶生长的热场，其特征是：所述的导气管(8)的材质为石墨。
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