[实用新型]三氯氢硅合成炉的冷却装置

权利要求书

1.一种三氯氢硅合成炉的冷却装置，其特征是包含热管（2）、蒸发室（6），热管的吸热端（3）置于合成炉的反应区内，热管的放热端（4）设置在蒸发室内，蒸发室内通入液体介质，热管的放热端和吸热端之间隔开。

2.根据权利要求1所述之三氯氢硅合成炉的冷却装置，其特征是若干热管在合成炉反应区的截面上均匀布置，每根热管之间的距离均等。

3.根据权利要求2所述之三氯氢硅合成炉的冷却装置，其特征是设有管板，管板上根据热管的数量设置若干个均匀布置的孔，热管穿过管板上的孔进行设置。

4.根据权利要求2所述之三氯氢硅合成炉的冷却装置，其特征是热管的吸热端设置在反应区内、离底部1-3米的位置；蒸发室设置在合成炉的顶部。

5.根据权利要求2所述之三氯氢硅合成炉的冷却装置，其特征是蒸发室为密闭容器，并设有水进口和蒸汽出口。