[实用新型]管内电缆超导导体接头无效
申请号: | 201020143893.2 | 申请日: | 2010-03-25 |
公开(公告)号: | CN201699154U | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 刘华军;武玉;任志斌;龙风;彭晋卿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | H01R4/68 | 分类号: | H01R4/68 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电缆 超导 导体 接头 | ||
技术领域:
本实用新型主要涉及超导领域,尤其涉及一种管内电缆超导导体接头。
背景技术:
管内电缆导体(Cable-in-Conduit Conductor,CICC)以其在机械结构、绝缘性能、磁体绕制工艺及运行安全性等方面的优势,成为大型超导磁体的首选导体。超导导体接头技术是CICC导体的关键技术之一,在CICC导体发展的近30年中,开展了多种结构的超导导体接头的研发。中科院等离子体物理研究所目前正在建设用于ITER计划较正场线圈(Correction Coil,CC)导体测试装置。为避免使用庞大而昂贵的直流电源以及电流引线装置,测试装置采用超导变压器来代替传统的电源系统。超导变压器最高可产生50kA的电流。急需一种能承受大电流要求、且接头电阻小的超导导体接头技术。
实用新型内容:
本实用新型目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种管内电缆超导导体接头,它能满足超导导体接头技术中大电流、低电阻的要求。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
管内电缆超导导体接头,其特征在于:包括有方形的铜基体,铜基体的上端面上设有条形的凹槽一,铜基体内设有氦通道,所述铜基体上端面上固定焊接有上盖板,上盖板的下端面上开有与凹槽一对应的凹槽二,凹槽一和凹槽二对合形成锡通道,所述上盖板中心开有条形安装槽,所述条形安装槽内固定有预压盖板;所述铜基体和上盖板的左端面上固定有下座,下座上开有与氦通道连通的氦入口以及与锡通道连通的灌锡孔;所述铜基体和上盖板的右端面上固定有上座,上座上开有与氦通道连通的氦出口以及与锡通道连通的锡流道,上座的上端面上开有与锡流道导通的出锡口,所述上盖板、预压盖板、上座和下座的材质均采用不锈钢。
超导导体接头技术是建立超导导体测试装置中关键技术之一。降低接头电阻可以减小接头产生的焦耳热,同时可以增加次级线圈的衰减时间常数(τ=L/R,L为线圈电感,R为电阻),有利于样品低温超导性能测试。为了有效降低接头电阻,使用本实用新型可采用灌锡的方法将导体电缆同铜基板焊实。
使用本实用新型的操作过程为:先将上过锡的电缆插入本实用新型后,对电缆进行压缩,空隙率控制在25%左右;然后通过下座上的灌锡口将锡灌入,通过上座上端面上预留的出锡口流出,可控制灌锡的高度。本实用新型中的无氧铜导电基板,其3R值>100;其中基板与上盖板、基板与上座、上盖板与上座、基板与以及上盖板与下座间均采用钎焊密封,以保证氦的密封。超导变压器次级线圈和测试短样分别同本实用新型相连接,测试时,两个终端通过紧固结构卡紧。为了减小接触电阻,可在本实用新型铜面间放入铟片;也可以直接将本实用新型用焊锡焊起来,焊接时用的锡的温度要低于本实用新型内部锡的熔点温度。
本实用新型的优点是:
本实用新型具有减小接触电阻(可小于1nΩ)、提高接头传热性能、提高超导导体接头运行稳定性和安全性的特点。
附图说明:
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式:
管内电缆超导导体接头,包括有方形的铜基体1,铜基体1的上端面上设有条形的凹槽一2,铜基体1内设有氦通道3,所述铜基体1上端面上固定焊接贴合有上盖板4,上盖板4的下端面上开有与凹槽一2对应的凹槽二5,凹槽一2和凹槽二5对合形成锡通道,所述上盖板4中心开有条形安装槽6,所述条形安装槽6内固定有预压盖板7;所述铜基体1和上盖板4的左端面上固定有下座8,下座8上开有与氦通道连通的氦入口9以及与锡通道连通的灌锡孔10;所述铜基体1和上盖板4的右端面上固定有上座12,上座12上开有与氦通道连通的氦出口13以及与锡通道连通的锡流道14,上座12的上端面上开有与锡流道14导通的出锡口11,所述上盖板4、预压盖板7、上座12和下座8的材质均采用不锈钢。
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