[实用新型]阴极真空电弧源薄膜沉积装置无效

专利信息
申请号: 201020144810.1 申请日: 2010-03-25
公开(公告)号: CN201660693U 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 汪爱英;李洪波;柯培玲 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219 代理人: 张文忠
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 阴极 真空 电弧 薄膜 沉积 装置
【权利要求书】:

1.阴极真空电弧源薄膜沉积装置,包括依次密封连接的阴极真空电弧蒸发源(39)、磁性过滤部分、薄膜沉积真空腔(23),以及抽真空装置,其特征是:所述磁性过滤部分包括管体与设置在管体外部周缘的磁场产生装置,所述管体包括管体入口端面和管体出口端面,管体入口端面与管体出口端面之间至少有一个弯管,并且该弯管两侧管体的轴线之间的夹角为135°;在阴极真空电弧蒸发源(39)上设置有用于通入惰性气体的气体通道(13)。

2.根据权利要求1所述的阴极真空电弧源薄膜沉积装置,其特征是:所述管体内壁设有栅状挡板(10)。

3.根据权利要求2所述的阴极真空电弧源薄膜沉积装置,其特征是:所述栅状挡板(10)是由倒齿类的栅格串联圈构成。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的阴极真空电弧源薄膜沉积装置,其特征是:所述磁性过滤部分的磁场产生装置包括设在管体入口处的拽引线圈(5)、设在管体弯管分的弯转线圈(6)和设在管体出口处的输出线圈(7),与所述拽引线圈(5)相连的拽引线圈直流电源(33)、与所述弯转线圈(6)相连的弯转线圈直流电源(34)和与所述输出线圈(7)相连的输出线圈直流电源(35)。

5.根据权利要求4所述的阴极真空电弧源薄膜沉积装置,其特征是:所述输出线圈(7)的外侧周缘均匀设置四个扫描线圈(8),所述扫描线圈(8)与所述输出线圈(7)互相垂直,所述扫描线圈(8)连接有扫描线圈交流电源(36)。

6.根据权利要求1所述的阴极真空电弧源薄膜沉积装置,其特征是:所述阴极真空电弧蒸发源(39)包括阴极(1),与所述阴极(1)共轴放置的阳极(2),设置在所述阴极(1)和阳极(2)之间的用于激发电弧的触发电极(12),所述触发电极(12)的气动阀门(14),电弧脉冲电源(32),与所述阳极(2)共轴放置在所述阴极(1)两侧的永磁体(9),与所述永磁体(9)相连,且可以调节所述永磁体(9)与所述阴极(1)之间距离的螺纹杆(11);所述永磁体(9)外围设置弧源线圈(4),所述弧源线圈(4)连接电弧电源线圈直流电源(31)。

7.根据权利要求1所述的阴极真空电弧源薄膜沉积装置,其特征是:所述薄膜沉积真空腔(23)包括位于中间底部的工件架,所述工件架上制有可公转的大盘(19),所述大盘(19)上制有可自转的小盘(20)。

8.根据权利要求1所述的一种阴极真空电弧源薄膜沉积设备,其特征是:所述抽真空装置的抽气口(21)设置在所述薄膜沉积真空腔(23)上;所述管体横截面呈圆形;所述扫描线圈是环形线圈;所述薄膜沉积真空腔是圆柱形;所述阴极的形状是梯形柱状,阳极的形状是圆柱环形。

9.根据权利要求1所述的阴极真空电弧源薄膜沉积装置,其特征是:所述管体的管壁制有冷却夹层,所述冷却夹层内通有冷却循环水。 

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