[实用新型]侧面具有锯齿状孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管有效
申请号: | 201020148167.X | 申请日: | 2010-03-26 |
公开(公告)号: | CN201773861U | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 林科闯;林素慧;郑建森 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人: | 徐东峰 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面 具有 锯齿状 孔洞 氮化 镓基高 亮度 发光二极管 | ||
1.侧面具有锯齿状孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管,在蓝宝石衬底上外延生长一由N型电极接触层、发光区层、P型电极接触层层叠构成的外延层;在外延层上形成一透明导电层,在导电层上连接一P电极;在N型电极接触上连接一N电极;其特征在于:外延层侧面上设有锯齿状孔洞。
2.如权利要求1所述的侧面具有锯齿状孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管,其特征在于:所述的外延层侧面为倾斜面。
3.如权利要求1所述的侧面具有锯齿状孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管,其特征在于:所述的外延层侧面蚀刻形成的锯齿状孔洞呈周期性排列。
4.如权利要求1或3所述的侧面具有锯齿状孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管,其特征在于:所述的锯齿状孔洞位于外延层中的N型电极接触层的侧面。
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