[实用新型]阵列基板和液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201020148928.1 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN201622418U 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 张文余;赵鑫;谢振宇;明星 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示技术,尤其涉及一种阵列基板和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器,其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

液晶面板是液晶显示器的重要部件,液晶面板包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板,其间填充液晶层。TFT-LCD的阵列基板以TFT开关作为像素单元的有源开关器件,这种驱动形式称为有源矩阵驱动形式。图1A为现有TFT-LCD液晶显示器中阵列基板的局部俯视结构示意图,图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。如图1A和1B所示,该阵列基板包括衬底基板1;衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2;数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元;每个像素单元包括TFT开关和像素电极11;TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6;栅电极3连接栅线2,源电极7连接数据线5,漏电极8连接像素电极11,有源层6形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间。为保持绝缘,在栅线2和数据线5的导电图案层之间以栅绝缘层4相互隔离,在数据线5和像素电极11的导电图案层之间以钝化层9相互隔离,像素电极11通过钝化层过孔10与漏电极8相连。

在上述阵列基板的结构中,该TFT开关的工作原理是:向栅电极3通入高电平时,有源层6在栅电极3所形成电场的作用下发生载流子的流动,从而导通源电极7和漏电极8;向栅电极3通入低电平时,所形成电场不足以驱动有源层6的载流子运动,则源电极7和漏电极8不导通。

现有技术中,栅电极位于有源层的下方,栅电极对有源层施加的电场作用效果不佳,需要输入较高的电压来驱动载流子运动,而这与目前LCD的低功耗发展趋势相悖,这是现有技术中需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示器,以改善薄膜晶体管开关的驱动效果。

本实用新型提供一种阵列基板,包括衬底基板;所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线;所述数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元;每个像素单元包括TFT开关和像素电极;每个TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层;所述栅电极连接栅线,所述源电极连接数据线,所述漏电极连接像素电极,所述有源层形成在所述源电极和漏电极与所述栅电极之间,其中:

所述栅电极上覆盖的绝缘层中形成有侧栅过孔,所述侧栅过孔位于所述有源层的侧面,所述侧栅过孔中填充有导电材料的侧栅电极,所述侧栅电极与所述栅电极电连接。

如上所述的阵列基板,其中:

所述侧栅过孔贯穿形成于栅电极上覆盖的钝化层和栅绝缘层中,形成所述侧栅电极的导电材料为像素电极的材料。

如上所述的阵列基板,其中:

所述侧栅过孔形成于所述有源层的两侧,两侧的所述侧栅电极覆盖在部分所述有源层的上方且保持相互隔离。

如上所述的阵列基板,其中:

所述数据线、源电极和漏电极形成在有源层材料薄膜之上,所述数据线、源电极和漏电极的图案与所述有源层的图案采用双色调掩膜板通过一次掩膜构图工艺刻蚀形成。

如上所述的阵列基板,其中:

所述侧栅过孔形成于栅电极上覆盖的栅绝缘层中,形成所述侧栅电极的导电材料为数据线的材料。

本实用新型还提供了一种液晶显示器,包括液晶面板,其中:所述液晶面板包括彩膜基板和本实用新型所提供的阵列基板,所述彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶层。

本实用新型提供的阵列基板和液晶显示器,通过在有源层的侧面形成侧栅电极,形成了包裹式栅电极,提高了TFT特性,改善了驱动效果,在达到同等驱动效果的前提下可以降低驱动功耗,达到节约能源的效果。

附图说明

图1A为现有TFT-LCD液晶显示器中阵列基板的局部俯视结构示意图;

图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图;

图2A为本实用新型实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图;

图2B为图2A中沿B-B线的侧视剖切结构示意图;

图3A为本实用新型实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图;

图3B为图3A中沿C-C线的侧视剖切结构示意图;

图4A为本实用新型实施例三提供的阵列基板的局部俯视结构示意图;

图4B为图4A中沿D-D线的侧视剖切结构示意图。

附图标记:

1-衬底基板;        2-栅线;          3-栅电极;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020148928.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top