[实用新型]一种全波整流电路有效

专利信息
申请号: 201020150062.8 申请日: 2010-03-30
公开(公告)号: CN201667619U 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 陈斌;尹辉;徐坤平;杨云 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H02M7/12 分类号: H02M7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 整流 电路
【权利要求书】:

1.一种全波整流电路,其特征在于:包括

用于将输入的正电压转换成电流的正半波电压转电流电路;

用于将输入的负电压转换成电流的负半波电压转电流电路;

对正半波电压转电流电路输出的正电流和负半波电压转电流电路输出的负电流叠加成完整的电流信号的叠加电路;

将叠加电路输出的电流信号整流成正向的电流信号的正向全波电流整流电路;

将正向全波电流整流电路的输出电流转换成电压信号的正向全波电流转电压电路。

2.根据权利要求1所述的一种全波整流电路,其特征在于:所述正半波电压转电流电路包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管;第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极和第五PMOS管的源极均与电源连接,第三PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极连接,第三PMOS管的漏极连接第二偏置电流;第一NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极连接,第一NMOS管的源极连接外部输入信号;第五PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接,第二NMOS管的源极经过第一电阻后与共模电压连接。

3.根据权利要求1所述的一种全波整流电路,其特征在于:所述负半波电压转电流电路包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管;第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极均与地连接,第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极连接,第三NMOS管的漏极连接第一偏置电流;第一PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接,第一PMOS管的源极连接外部输入信号;第五NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接,第二PMOS管的源极经过第一电阻后与共模电压连接。

4.根据权利要求1所述的一种全波整流电路,其特征在于:所述叠加电路包括:第六PMOS管和第六NMOS管;第六PMOS管的源极与电源连接,第六PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极;第六NMOS管的源极与电源连接,第六NMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极,第六PMOS管的漏极与第六NMOS管的漏极连接作为叠加电路的输出端。

5.根据权利要求1所述的一种全波整流电路,其特征在于:所述正向全波电流整流电路包括:第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第一电容、第二电容;所述第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管的源极均与电源连接,第九PMOS管的漏极连接第四偏置电流,第九PMOS管的栅极与第十PMOS管的栅极连接;第十PMOS管的漏极与第七NMOS管的漏极连接,第七NMOS管的栅极连接第八NMOS管的栅极,第八NMOS管的漏极与第十一PMOS管的漏极连接,第十一PMOS管的栅极连接第十二PMOS管的栅极,第十二PMOS管的漏极作为正向全波电流整流电路的输出端;第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管的源极均与地连接,第九NMOS管的漏极连接第三偏置电流,第九NMOS管的栅极与第十NMOS管的栅极连接;第十NMOS管的漏极与第七PMOS管的漏极连接,第七PMOS管的栅极连接第八PMOS管的栅极,第八PMOS管的漏极与第十一NMOS管的漏极连接,第十一NMOS管的栅极连接第十二NMOS管的栅极,第十二NMOS管的漏极与第八NMOS管的漏极连接;第七PMOS管的源极与第七NMOS管的源极连接;第八PMOS管的源极与第八NMOS管的源极连接并与叠加电路的输出端连接;第一电容连接电源和第七NMOS管的栅极,第二电容连接地和第七PMOS管的栅极。

6.根据权利要求1所述的一种全波整流电路,其特征在于:所述正向全波电流转电压电路包括第二电阻,第二电阻的一端连接第十二PMOS管的漏极,另一端连接共模电压。

7.根据权利要求1所述的一种全波整流电路,其特征在于:还包括用于对全波整流电路取信号包络的第三电容,第三电容的一端与第十二PMOS管的漏极连接,另一端与地连接。

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