[实用新型]辐射信号传感器

权利要求书

1.辐射信号传感器，其特征是：包括GM计数管，GM计数管的输出通过整形滤波电路连接内核CPU，所述内核CPU的输入端还连接有时钟电路、复位电路，内核CPU的输出端连接有蜂鸣器报警电路、中断开关量输出电路。

2.如权利要求1所述的辐射信号传感器，其特征是所述内核CPU采用单片机。

3.如权利要求1所述的辐射信号传感器，其特征是所述中断开关量输出电路包括内核CPU的中断信号输出端连接第三三极管(Q3)的基极，第三三极管(Q3)的发射极接高电平(VCC)，第三三极管(Q3)的集电极通过第六电阻(R6)连接第四三极管(Q4)的基极，第四三极管(Q4)的发射极接地，第四三极管(Q4)的基极和发射极之间连接第七电阻(R7)，第四三极管(Q4)的集电极正向通过第五二极管(D5)接高电平(VCC)，并连接继电器(JD1)的输入端，继电器(JD1)的触点控制开关量接口(JCB1，JCB2)为断开还是连通。

4.如权利要求1所述的辐射信号传感器，其特征是所述时钟电路包括：在内核CPU的外部晶振时钟输出端(XOUT)和时钟输入端(XIN)之间连接一个石英晶体振荡器并分别接有1个对地电容。

5.如权利要求1所述的辐射信号传感器，其特征是所述复位电路包括：在内核CPU的复位端依次连接第一电阻(R1)、第二电阻(R2)到高电平(VCC)，第一电阻(R1)、第二电阻(R2)之间的节点连接第六二极管(D6)的阳极，第六二极管(D6)的阴极连接高电平(VCC)，第一电阻(R1)、第二电阻(R2)之间的节点通过第八电容(C8)接地。

6.如权利要求1所述的辐射信号传感器，其特征是所述整形滤波电路包括：GM计数管的输出端通过第八电阻(R8)分别连接第十电阻(R10)和恒流源(J1)，恒流源(J1)通过并联的第九电阻(R9)和第十四电容(C14)接地；第十电阻(R10)另一端正向通过第四二极管(D4)接高电平(VCC)并连接第一与非门(U4A)的两个输入端，第一与非门(U4A)的输出端连接第二与非门(U4C)的两个输入端，第二与非门(U4C)的输出端输出脉冲。