[实用新型]MEMS传感器

权利要求书

1.一种MEMS传感器，其特征在于：包括单晶硅片以及覆盖在单晶硅片上且用以感受外界压力的单晶硅薄膜，所述单晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的剖面为倒三角形状的网状硅膜、位于网状硅膜下方且与网状硅膜连通的腔体、自背面凹设的背腔及连通腔体与背腔的深槽，所述单晶硅薄膜覆盖在单晶硅片的正面且与网状硅膜相接触。

2.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于：所述MEMS传感器包括形成在单晶硅薄膜上的压阻。

3.如权利要求2所述的MEMS传感器，其特征在于：所述MEMS传感器包括覆盖在单晶硅薄膜上的钝化层及与压阻相连接的金属走线及金属压点，其中，金属走线穿过钝化层。

4.如权利要求3所述的MEMS传感器，其特征在于：所述金属压点突出钝化层。

5.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于：所述深槽沿竖直方向延伸。

6.如权利要求5所述的MEMS传感器，其特征在于：所述腔体形成于单晶硅片的内部，所述深槽位于腔体的一侧。

7.如权利要求5所述的MEMS传感器，其特征在于：所述背腔与腔体相互偏移。

8.如权利要求3所述的MEMS传感器，其特征在于：所述单晶硅片包括质量块以及悬臂梁，所述压阻位于悬臂梁上。

9.如权利要求8所述的MEMS传感器，其特征在于：所述质量块贯穿钝化层。

10.如权利要求8所述的MEMS传感器，其特征在于：所述悬臂梁为一根或多根。