[实用新型]一种低压增强的自举电路有效

专利信息
申请号: 201020156017.3 申请日: 2010-04-09
公开(公告)号: CN201629731U 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 杜红越;张炜;陈文;张洪波 申请(专利权)人: BCD半导体制造有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明;王宝筠
地址: 英属开曼群岛*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 增强 电路
【权利要求书】:

1.一种低压增强的自举电路,其特征在于,包括:电压比较模块、选择模块、电压调整器和开关管;

所述电压比较模块将采集的电压和预定阀值电压比较,将比较结果发送给所述选择模块;

当所述比较结果为采集的电压大于预定阀值电压时,所述选择模块选择将输入电压通过所述电压调整器为直流降压电路的自举端供电;当所述比较结果为采集的电压小于或等于预定阀值电压时,所述选择模块选择将输入电压通过闭合的所述开关管为所述直流降压电路的自举端供电。

2.根据权利要求1所述的低压增强的自举电路,其特征在于,所述采集的电压为所述输入电压或电压调整器的内部电压。

3.根据权利要求2所述的低压增强的自举电路,其特征在于,当所述采集的电压为所述输入电压时,所述电压比较模块包括:

由第一PMOS管和第二PMOS管组成的第一镜像电流源,NJFET管的漏极连接输入电压PVIN,源极连接第一PMOS管的源极和第二PMOS管源极;

第一PMOS管的漏极通过第一电流源Isink接地,同时第一PMOS管的漏极连接RS触发器的复位端R;

第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极耦接;

第二PMOS管的栅极和漏极耦接,第二PMOS管的漏极连接第一NPN管的集电极;

第一NPN管的基极依次通过串联的第二开关S2和参考电压源Vref接地;

第一NPN管的基极依次通过串联的第一电阻和第一开关S1接地;电压调整器中的运放中的第二NPN管的基极通过所述第一开关S1接地;

所述第一NPN管的发射极连接所述第二NPN管的集电极;

RS触发器的输出端Q连接所述选择模块的输入端。

4.根据权利要求3所述的低压增强的自举电路,其特征在于,当所述采集的电压为所述输入电压时,所述选择模块包括:

第三PMOS管和第四PMOS管组成的第二镜像电流源,第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极均连接电源VDD;第三PMOS管的栅极连接第四PMOS管的栅极;第四PMOS管的漏极和栅极耦接;

RS触发器的置位端S连接第三PMOS管的漏极;

第三PMOS管的漏极通过第二电流源Isink2接地;

RS触发器的输出端Q通过驱动模块连接第一NMOS管的栅极,第一NMOS管的源极通过第二电阻接地,漏极连接电压调整器中的功率PMOS管的栅极;

第四PMOS管的集电极连接第四PMOS管的漏极,第四NPN管的发射极接地,第四NPN管的基极通过所述第二电阻接地。

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