[实用新型]耐候型微触发可控硅无效
| 申请号： | 201020158070.7 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN201804869U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李文广;周远铸 | 申请（专利权）人： | 厦门泰格微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耐候型微 触发 可控硅 | ||
【权利要求书】：
1.一种耐候型微触发可控硅，为PNP结构，所述PNP结构的一侧P型硅上设有N+发射区和门极电极，在所述N+发射区上设置有阴极电极，所述PNP结构的另一侧P型硅上设置有阳极电极，其特征在于：所述PNP结构内部设有横向集成电阻，所述横向集成电阻是负温度系数型热敏电阻，并且连接于所述门极电极和阴极电极之间。
2.根据权利要求1所述的耐候型微触发可控硅，其特征在于：所述横向集成电阻位于所述N+发射区下面邻近所述门极电极区侧的P型硅上。
3.根据权利要求2所述的耐候型微触发可控硅，其特征在于：所述横向集成电阻的阻值变化范围为5千欧姆到15千欧姆之间。
4.根据权利要求1至3任一项所述的耐候型微触发可控硅，其特征在于：所述耐候型微触发可控硅还包括包围所述N+发射区、邻近N+发射区的P型硅以及门极电极的阻断电压保护槽。
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