[实用新型]LED控制电路无效

专利信息
申请号: 201020159327.0 申请日: 2010-04-08
公开(公告)号: CN201663739U 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 谢道平 申请(专利权)人: 谢道平
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: led 控制电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及光源控制领域,特别涉及一种LED的控制电路。

背景技术

随着LED技术的发展,其应用领域越来越广泛。现有的LED控制电路中的开关控制采用晶体管体为开关元器件,一方面需要至少两个晶体管才能实现控制,因而其制造成本较高,材料成本也较高;另一方面控制器输出控制信号电流为毫安级,无法用来驱动驱动大功率三极管,只能驱动达林顿管三极管,但该达林顿管三极管在导通时压降比较大,产生散量较比,需要设置与达林顿管三极管连接的散热片进行散热才能使控制电路稳定,因而该控制电路的体积较大;同进采用达林顿管作为所述开关元器件时,其工作效率较低。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种LED控制电路,该LED控制电路体积小,成本低,工作效率高。

为了解决上述问题,本实用新型提供一种LED控制电路,该LED控制电路包括控制器和与该控制器连接授受其控制的开关电路,所述开关电路由第一场效应管和第二场效应管集成构成。

优选地,所述第一场效应管的栅极与控制器一输出端连接,其漏极与LED接口连接,该LED接口与LED电路连接,其源极通过电阻接地;所述第二场效应管的栅极与控制器另一输出端连接,其漏极与LED接口连接,该LED接口与LED电路连接,其源极通过电阻接地。

优选地,所述场效应管为集成型MOSFET。

本实用新型LED控制电路,通过采用由至少两个场效应管复合而成的复合场效应管作为开关电路。与现有技术相比,一方面减少元器件的数量,降低制造成本;另一方面复合场效应管导通压降较小,产生热量也少,不需要增加散热片等散热装置进行散热,因而可以减少该控制电路的体积,进一步降低成本。

附图说明

图1是本实用新型LED控制电路实施例原理框图。

下面结合实施例,并参照附图,对本实用新型目的的实现、功能特点及优点作进一步说明。

具体实施方式

如图1所示,本实用新型提供一种LED控制电路实施例。

所述LED控制电路包括控制器1和与该控制器1连接授受其控制的开关电路2,该开关电路2由第一场效应管Q1和第二场效应管Q2集成构成。

具体地说,所述第一场效应管Q1的栅极与控制器1一输出端连接,其漏极与LED接口3连接,该LED接口3与LED电路连接,其源极通过电阻R1接地;所述第二场效应管Q2的栅极与控制器1另一输出端连接,其漏极与LED接口连接,该LED接口3与LED电路连接,其源极通过电阻R2接地。

在所述LED控制电路工作时,控制器1两控制端分别输出高电平信号,第一场效应管Q1和第二场效应管Q2分别导通,与之电连接的LED灯亮。与现有技术相比,控制器IC输出的控制信号可以直接驱动MOSEFT,且MOSEFT的导通压降很小,MOSEFT产生的热量少,因而也不需要设置散热片,LED控制电路体积较小,进一步降低成本。同时可以减少元器件的数量,从而制造成本较低,且工作效率较高。

在本实施例中,所述场效应管Q可以根据需要由两个或多个第一场效应管Q1和第二场效应管Q2集成;所述第一场效应管Q1与第二场效应管Q2结构可以根据需要设为相同。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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