[实用新型]阵列基板有效
申请号: | 201020165464.5 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN201638817U | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 于洋 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 | ||
1.一种TFT阵列基板,包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管,该薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连;所述栅极扫描线延伸至液晶盒外形成栅极扫描线的PAD区域;其特征在于,所述PAD区域中的栅极扫描线之上设有有缘保护层。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,位于所述PAD区域的栅极扫描线之上依次包括:栅极绝缘层、有缘保护层和钝化层;
所述PAD区域内对应栅极扫描线设有穿过所述栅极绝缘层、有缘保护层和钝化层的过孔,所述过孔之上设有透明导电层,所述透明导电层通过所述过孔与栅极扫描线连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述PAD区域中的栅极扫描线之上设有有缘保护层包括:
在所述PAD区域中对应栅极扫描线之上设有有缘保护层;或者:
在所述整个PAD区域设有有缘保护层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述有缘保护层包括掺杂半导体层和半导体层;或者所述有缘保护层包括半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的