[实用新型]阵列基板和液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201020173337.X 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN201637973U 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 刘翔 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示技术,尤其涉及一种阵列基板和液晶显示器。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。近年来,TFT-LCD获得了飞速的发展,大尺寸、高分辨率的液晶显示器成为TFT-LCD发展的一个主流。

TFT-LCD的阵列基板上沉积有栅线、数据线等导电图案,以及栅绝缘层和钝化层等绝缘层。随着TFT-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高,阵列基板上的栅线的长度也随着增大。根据TFT-LCD信号的延迟主要由T=RC(R为信号电阻,C为相关电容)决定的原理,栅线所造成的信号延迟时间也随之增加。当信号延迟增加到一定程度时,将使得某些像素得不到充分的充电,造成亮度不均匀,使TFT-LCD的对比度下降,严重地影响了图像的显示质量。因此,信号延迟成为制约大尺寸、高分辨率TFT-LCD显示效果的关键因素之一。为了减少信号延迟,现有技术中可以采用低电阻金属铝或铝合金制作栅极扫描信号线。

但是,采用低电阻金属铝或铝合金制作栅极扫描信号线时,尚存在以下技术缺陷:由于金属铝或铝合金膜和接触层的物质的热膨胀系数不同,在经历后面制备TFT的高温过程中,金属铝或铝合金在温度升高时的热应力释放会导致在栅极扫描信号线的侧面或上面等部位形成小丘。而小丘的形成容易造成栅极扫描信号线上方的绝缘层的击穿,引起栅极金属和源漏金属的短路,致使TFT器件失效,由此严重地制约了金属铝或铝合金在TFT-LCD中的应用。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示器,用以解决现有技术中铝或铝合金制作栅极扫描信号线时形成的小丘易致使TFT器件失效的缺陷,实现使得金属铝或铝合金产生的小丘不会对TFT造成影响,提高使用金属铝或铝合金制作栅线TFT的良品率。

本实用新型提供一种阵列基板,衬底基板,所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层,所述导电图案包括采用铝或铝合金制作的栅线,在所述衬底基板和所述栅线之间设置有有机缓冲层,用于释放在所述阵列基板的制造过程中所述铝或铝合金释放的热应力。

如上所述的阵列基板,其中,所述有机缓冲层包括聚乙烯吡咯烷酮、聚酰亚胺或苯并环丁烯。

如上所述的阵列基板,其中,所述有机缓冲层的厚度为8000~20000

如上所述的阵列基板,其中,所述栅线的顶层设置有栅线顶层金属。

如上所述的阵列基板,其中,所述栅线顶层金属包括Ta、Cr或Mo。

本实用新型提供一种液晶显示器,包括外框架和液晶面板,所述液晶面板由阵列基板和彩膜基板对盒形成,所述阵列基板采用上述的阵列基板。

本实用新型的阵列基板和液晶显示器,通过在金属铝或铝合金下面沉积一层有机缓冲层,使得在制作TFT后续工艺中,金属铝或铝合金产生的应力可以在有机缓冲层中释放,小丘也形成在该有机缓冲层中;由此避免了采用金属铝或铝合金制作栅线时出现的小丘对金属铝或铝合金上方的TFT的影响,从而提高了使用金属铝或铝合金制作栅线的TFT良品率;此外,用有机缓冲层制作工艺简单,生产效率高,制作成本低廉。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例一提供的阵列基板的剖切结构示意图;

图2为本实用新型阵列基板的制造中第一次构图工艺后的平面图;

图3为本实用新型阵列基板的制造中第一次构图工艺后的截面图;

图4为本实用新型阵列基板的制造中第二次构图工艺后的平面图;

图5为本实用新型阵列基板的制造中第二次构图工艺后的截面图;

图6为本实用新型阵列基板的制造中第三次构图工艺后的平面图;

图7为本实用新型阵列基板的制造中第三次构图工艺后的截面图;

图8为本实用新型阵列基板的制造中第四次构图工艺后的平面图。

附图标记说明:

11-衬底基板;    12-栅线;        13-栅线顶层金属;

14-栅绝缘层;    15-半导体层;    16-欧姆接触层;

17-源电极;      18-漏电极;      19-钝化层;

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