[实用新型]3GHz带宽光电探测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种3GHz带宽光电探测器。 

背景技术

现有的3GHz带宽光电探测器主要用于光接入网、1～3G以太网、光通道等，它既适用于数据信号通信，也适用于模拟信号通信。由于该探测器多用于模拟信号通信，对光的回波损耗要求比较高。 

现有的TO封装型式的3GHz带宽光电探测器(参见图1)一般由管座1、管帽2、芯片3、陶瓷基片4和透镜5等组成。芯片3和陶瓷基片4固定在管座1上，通过金丝连接芯片3和管座1上的电极7和8，最后将管帽2与管座1熔接成一体。由光纤输入的光信号通过管帽2上的透镜5聚焦到芯片3上，芯片3将接收到的光信号转换成电信号并通过管座1的引脚71和81输出，这样就实现了光电信号的转换和传输。 

但是光电探测器的结构对回波损耗有很大的影响，一般的光电探测器，芯片的光敏面都位于管座和管帽的正中间，这样有利于光电探测器与光纤的耦合，提高光电探测器的响应度。但是采用此结构的光电探测器的内部光波反射严重，影响光电探测器的性能，因为芯片在接收入射光的同时，会反射出一部分光，反射光在芯片与透镜之间形成往复发射产生噪声。回波对用于模拟信号通信的光电探测器影响很大，必须予以消除。 

为了解决光电探测器的反射波(回波)问题，现有的做法是将芯片倾斜一定的角度α(参见图1)，这样，虽然也能提高光电探测器的回波损耗，但是由于芯片尺寸很小(一般＜1mm)，因此倾斜角度很难控制，不仅增加加工难度，而且容易造成产品的一致性差，实际效果并不好。 

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种可明显提高回波损耗，产品一致性较好的3GHz带宽光电探测器。 

本实用新型设有管座、管帽、芯片、陶瓷基片和透镜，管帽与管座熔接成一体，芯片和陶瓷基片固定在管座上，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴，芯片通过金丝与设于管座上的电极连接，透镜设在管帽上。 

所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离可为1/2芯片光敏面，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离最好为0.03～0.035mm。 

由光纤输入的光信号通过设于管帽上的透镜聚焦到芯片上，芯片将接收到的光信号转换成电信号并通过连接电极的引脚输出，这样就实现了光电信号的转换和传输。 

与现有的3GHz带宽光电探测器相比，由于芯片的光敏面中心偏离管座和管帽的中心轴，即芯片的光敏面不是位于管座和管帽的正中间，而是略有偏心，因此本实用新型具有以下突出优点： 

1)在保证光电探测器响应度的同时，可大幅度提高回波损耗，对响应度的影响很小，经测试，平均回波损耗可提高约5dB。 

2)结构简单，生产工艺简单且容易控制，加工过程与一般的光电探测器相同，不需要改造或添置设备。 

3)可提高光电探测器的综合性能，产品一致性好。 

附图说明

图1为现有的3GHz带宽光电探测器的结构组成示意图。 

图2为本实用新型实施例的结构组成示意图。 

图3为本实用新型实施例的芯片偏心结构示意图。 

具体实施方式

以下实施例将结合附图对本实用新型作进一步的说明。 

参见图2和3，本实用新型实施例设有管座1、管帽2、芯片3、陶瓷基片4和透镜5，管帽2与管座1熔接成一体，芯片3和陶瓷基片4固定在管座1上，所述芯片的光敏面中心轴9偏离管座1和管帽2的中心轴6的距离δ约为1/2芯片光敏面，最好为0.03～0.035mm。所述芯片3的偏心方向是偏向引脚81的方向，芯片3通过金丝与设于管座1上的电极7和8连接，透镜5设在管帽2上。 

所述芯片的光敏面中心轴偏离管座1和管帽2的中心轴6的距离可为1/2芯片光敏面，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座1和管帽2的中心轴6的距离最好为0.03～0.035mm。 

由光纤输入的光信号通过设于管帽2上的透镜5聚焦到芯片3上，芯片3将接收到的光信号转换成电信号并通过连接电极7和8的引脚71和81输出，这样就实现了光电信号的转换和传输。 

经测试，本实施例的主要性能参数参见表1。 

测试条件：V_R＝5V，T＝25℃(V_R：工作偏压、T：工作温度)。 

表1