[实用新型]高耐压低反向电流整流桥堆

说明书

技术领域

本实用新型涉及对高耐压低反向电流整流桥堆结构的改进。

背景技术

采用芯片式二极管制作的整流桥堆越来越为市场所接收，现有的整流桥堆为三层铜框架结构，如图4所示，两层芯片叠加焊接方式，生产工艺较为复杂，人工劳动力加大，生产成本增高。制成品的整体厚度较大，表面尺寸小，散热差，不能适应一些空间狭小场合的应用。

发明内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种厚度小，散热面积大，进而能确保器件使用寿命和使用性能的高耐压低反向电流整流桥堆。

本实用新型的技术方案是：包括四个芯片式二极管以及承载所述二极管的框架，所述框架包括进片一、进片二、出片一和出片二，进片一和进片二处于同一平面，所述四个芯片正反交替地分别连接于其上，所述出片一和出片二从所述四个芯片的顶部将所述四个芯片相连。

所述出片一和出片二的底面上分别设有一对用于连接所述芯片的承接凸台。

所述出片一和出片二的引出部位设段差面，使引出部位与所述进片一和进片二的引出部位处于同一平面中。

本实用新型的四颗芯片放置在同一个平面，只需将四个铜框架从两面进行连接焊接，即可形成桥式电路。制成品的整体厚度降低了，平面面积增大了，大大提高了散热的效果。此外，减少了加工时的焊接工序，在一道工序上进行四个芯片的焊接，提高了加工的效率。本实用新型减少劳动强度及工序、提高生产效率、提高了器件的散热性能。

附图说明

图1是本实用新型截面的示意图

图2是本实用新型平面布局的示意图

图3是本实用新型的电路原理图

图中11是进片一，12是进片二，13是出片一，14是出片二，130是凸台一，140是凸台二，21是芯片一，22是芯片二，23是芯片三，24是芯片四。

图4是本实用新型背景技术的示意图

具体实施方式

本实用新型如图1-3所示：包括四个芯片式二极管以及承载所述二极管的框架，所述框架包括进片一11、进片二12、出片一13和出片二14，进片一11和进片二12处于同一平面，芯片一21、芯片二22、芯片三23和芯片四24正反交替地分别连接于其上，出片一13和出片二14从所述四个芯片的顶部将所述四个芯片相连，构成如图3所示的桥式电路。

所述出片一13和出片二14的底面上分别设有一对用于连接所述芯片的承接凸台一130和凸台二140。

所述出片一13和出片二14的引出部位设段差面，使引出部位与所述进片一11和进片二12的引出部位处于同一平面中。

电路实现：

1、交流电从“～进片一11”输入桥堆，经过芯片23导通，芯片21截止，电流从“+出片二14”输出；

2、交流电从“～进片二12”输入桥堆，经过芯片22导通，芯片24截止，电流从“+出片二14”输出；

进而实现桥堆整流功能。