[实用新型]建筑玻璃太阳能光伏电池板有效
申请号: | 201020186583.9 | 申请日: | 2010-05-09 |
公开(公告)号: | CN201673914U | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 王天根;韩志范 | 申请(专利权)人: | 王天根;韩志范 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0203 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人: | 蒋卫东 |
地址: | 312071 浙江省绍兴市袍*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 建筑 玻璃 太阳能 电池板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种建筑玻璃太阳能光伏电池板,适于太阳能应用技术领域。
背景技术
建筑物用玻璃装饰的透光面积巨大,将此巨大的透光面积的建筑玻璃升级成为透明或高透光率的“建筑玻璃太阳能光伏电池板“也就意味着有了如此巨大面积的太阳能光伏电池。这无疑是史无前例的太阳能再利用的节能举措。
众所周知,过去的太阳能电池对太阳光能向电能的转换所得总电能正比于受光面积。这也是对太阳可见光的遮挡面积。无论从理论上还是现实的可行性方面都是一个局限。由于过去的单晶硅或者是多晶硅太阳能电池板,其基板都是不透明的,所以,它的使用有很大的局限性,起码它不能用于透明门窗,透明屋顶或顶棚。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术的不足,目的在于提供一种具有硬度强,透光性好,红外反射率高、能干扰红外夜视设备,加工简单,生产成本低等优点的建筑玻璃太阳能光伏电池板。
为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种建筑玻璃太阳能光伏电池板,包括玻璃基板,其特征在于:所述玻璃基板的单面上依次镀有SiO2过度膜、P型透明铟掺杂SnO2半导体膜、N型锑掺杂SnO2半导体膜。
本实用新型进一步设置为:
所述SiO2过度膜的厚度为30nm。
所述P型透明铟掺杂SnO2半导体膜的厚度为50nm。
所述N型锑掺杂SnO2半导体膜的厚度为50nm。
所述P型透明铟掺杂SnO2半导体膜和N型锑掺杂SnO2半导体膜之间向外侧连接有电极,该电极设为对称单边线,采用Ag-Cu合金细直线,线宽为0.5~1mm,引出导线线宽为0.05~0.15mm。
本实用新型用的是能与建筑玻璃很好匹配的高透明的锡氧化物类半导体;以建筑玻璃为基板镀膜而成。镀膜硬度高于建筑玻璃;而且具有高于“LOW-E玻璃“红外反射率的功能,实为一种“光电多功能玻璃”。加之,锡氧化物类半导体导电性能好,所以无需要使用传统硅太阳能电池板所用的电极阵列;从而保证了本实用新型建筑玻璃太阳能光伏电池板的高透光率。其可见光透过率≥0.88。
本实用新型的玻璃红外反射率高,红外反射率≥0.86,它所反射的红外光谱宽,这种功能不但能阻隔热量通过红外辐射传导,实现保温节能的有益效果,而且能干扰红外夜视设备的红外热成像,使玻璃门窗具有红外隐形的功能,防夜视仪的偷窥。本产品采用常规的离线玻璃镀膜生产线就可以生产;尺寸根据建筑物结构要求而定,不受结构形状与单片玻璃尺寸要求约束。本产品还可用于车窗类玻璃结构件及其它玻璃器件的表面。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,一种建筑玻璃太阳能光伏电池板,包括玻璃基板1,玻璃基板1的单面上依次镀有SiO2过度膜2、P型透明铟掺杂SnO2半导体膜3、N型锑掺杂SnO2半导体膜4。SiO2过度膜2的厚度为30nm。P型透明铟掺杂SnO2半导体膜3的厚度为50nm。N型锑掺杂SnO2半导体膜4的厚度为50nm。在P型透明铟掺杂SnO2半导体膜和N型锑掺杂SnO2半导体膜之间向外侧连接有电极5,该电极设为对称单边线,采用Ag-Cu合金细直线,线宽为0.5~1mm,引出导线51线宽为0.05~0.15mm。该电极的引引出导线可与充放电控制盒的输入连接端相连接。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的