[实用新型]阈值电压产生电路无效
申请号: | 201020188061.2 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN201654085U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 范方平 | 申请(专利权)人: | 四川和芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R1/28 | 分类号: | G01R1/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阈值 电压 产生 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电压产生电路,尤指一种能够产生阈值电压的阈值电压产生电路。
背景技术
通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压,也称为开启电压。阈值电压通常跟随工艺和温度的变化而不同,在现有技术中,往往通过查找数据库来得到阈值电压,而很少有一种能够直接产生比较精确的阈值电压的电路。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种能够产生比较精确的阈值电压的阈值电压产生电路。
一种阈值电压产生电路,包括一主控制电路及一与所述主控制电路相连的偏置电路,所述主控制电路包括一第一开关元件、一与所述第一开关元件相连的第二开关元件、一与所述第二开关元件相连的第三开关元件及一与所述第三开关元件相连的第一运算放大器,所述第一运算放大器的一输出端输出一阈值电压。
优选地,所述第一开关元件为一第一场效应管,所述第二开关元件为一第二场效应管,所述第三开关元件为一第三场效应管。
优选地,所述第一场效应管的栅极与其漏极相连,其源级连接所述第二场效应管的源级,所述第二场效应管的栅极与其漏极相连,所述第三场效应管的栅极与其漏极相连,其源级连接所述第二场效应管的源级,所述第一场效应管、第二场效应管及第三场效应管的源级共同连接一接地端。
优选地,所述第三场效应管的漏极通过一第三电阻连接第一运算放大器的一正相输入端,所述第三场效应管的源级通过一第四电阻连接第一运算放大器的正相输入端,所述第一运算放大器的一反相输入端通过一第五电阻连接所述输出端。
优选地,所述偏置电路包括一与所述第一开关元件相连的第四开关元件、一与所述第四开关元件相连的第五开关元件、一与所述第五开关元件相连的第六开关元件及一与所述第四开关元件、所述第五开关元件相连的第二运算放大器。
优选地,所述第一运算放大器的一正相输入端通过一第二电阻及一第六电阻与所述第二运算放大器的一反相输入端相连,所述第一运算放大器的一反相输入端通过一第一电阻连接所述第二运算放大器的反相输入端,所述第二运算放大器的一正相输入端与所述第一开关元件相连。
优选地,所述第四开关元件为一第四场效应管,所述第五开关元件为一第五场效应管,所述第六开关元件为一第六场效应管。
优选地,所述第四场效应管的栅极连接所述第五场效应管的栅极,其漏极连接所述第二运算放大器的正相输入端,所述第五场效应管的漏极连接所述第二运算放大器的反相输入端,所述第六场效应管的栅极连接所述第五场效应管的栅极,所述第四场效应管、第五场效应管及第六场效应管的栅极共同连接所述第二运算放大器的一输出端,所述第四场效应管、第五场效应管及第六场效应管的源级共同连接一电源端。
相对现有技术,本实用新型阈值电压产生电路可以跟随工艺和温度的变化产生比较精确的阈值电压。
附图说明
图1为本实用新型阈值电压产生电路较佳实施方式的电路图。
具体实施方式
请参阅图1,本实用新型阈值电压产生电路较佳实施方式包括一主控制电路及一与该主控制电路相连的偏置电路。
该主控制电路包括一第一开关元件、一第二开关元件、一第三开关元件、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5及一第一运算放大器omp1。该偏置电路包括一第四开关元件、一第五开关元件、一第六开关元件、一第六电阻RB及一第二运算放大器omp2。
在本实施方式中,该第一开关元件为一第一场效应管M1,该第二开关元件为一第二场效应管M2,该第三开关元件为一第三场效应管M3,该第四开关元件为一第四场效应管M4,该第五开关元件为一第五场效应管M5,该第六开关元件为一第六场效应管M6。且第一场效应管M1、第二场效应管M2及第三场效应管M3为N型场效应管(NMOS),第四场效应管M4、第五场效应管M5及第六场效应管M6为P型场效应管(PMOS)。在其他实施方式中,开关元件可根据需要变更为能够实现同样功能的其它开关元件或电路。
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