[实用新型]一种具有改进型终端的半导体器件

权利要求书

1.一种具有改进型终端的半导体器件，在MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外围；所述有源区采用沟槽结构，有源区通过元胞沟槽内的导电多晶硅并联成整体；其特征是：

在所述MOS器件的截面上，所述终端保护区采用沟槽结构，终端保护区包括第一沟槽；所述第一沟槽位于第二导电类型层，深度伸入第二导电类型下方的第一导电类型外延层；所述第二导电类型层位于第一导电类型外延层上部且贯穿整个终端保护区；

在所述MOS器件的截面上，所述第一沟槽内填充有第一绝缘介质层，所述第一沟槽上设置有第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层覆盖第一沟槽槽口并覆盖终端保护区；

在所述MOS器件的截面上，所述第一沟槽上方的第二绝缘介质层上面覆盖有第一金属层，所述第一金属层与栅极金属或源极金属相连接，使第一金属层在MOS器件在反向阻断状态时为零电位；所述第一沟槽对应于远离有源区一侧设置第三引线孔，所述第三引线孔从第二绝缘介质层表面延伸至第二导电类型层；所述第三引线孔上方淀积有第二金属层，所述第二金属层覆盖在第二绝缘介质层上，并填充在第三引线孔内；所述第二金属层通过第二导电类型层与第一导电类型衬底层连接为等电位；

所述第一导电类型层包括位于半导体基板底部的第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上面的第一导电类型外延层，以及位于第一导电类型外延层上部的第一导电类型注入层；所述第二导电类型层位于第一导电类型外延层的上部；所述源极金属覆盖在有源区上，形成MOS器件的源极端；所述栅极金属形成MOS器件的栅极端。

2.根据权利要求1所述的具有改进型终端的半导体器件，其特征是：在所述MOS器件的截面上，所述有源区采用沟槽结构，所述元胞沟槽位于第二导电类型层，深度伸入第二导电类型层下方的第一导电类型外延层；元胞沟槽内壁生长有绝缘氧化层，在所述生长有绝缘氧化层的元胞沟槽内淀积有导电多晶硅；有源区内元胞通过位于元胞沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述元胞沟槽外壁侧上方均设有第一导电类型注入层，所述第一导电类型注入层与元胞沟槽外壁相接触；所述元胞沟槽的槽口覆盖有第二绝缘介质层；所述元胞沟槽两侧的均设有第一引线孔，所述第一引线孔从第二绝缘介质层的表面延伸进入第二导电类型层内；所述元胞沟槽及第一引线孔上方淀积有源极金属，所述源极金属覆盖在第二绝缘介质层上，并填充在第一引线孔内；所述元胞沟槽两侧的第二导电类型层利用源极金属连接成等电位；所述源极金属形成MOS器件的源极端。

3.根据权利要求1所述的具有改进型终端的半导体器件，其特征是：在所述MOS器件的截面上，所述有源区与终端保护区间设置栅极引出端，所述栅极引出端采用沟槽结构；所述栅极引出端沟槽位于第二导电类型层，深度伸入第二导电类型层下方的第一导电类型外延层；栅极引出端沟槽内壁生长有绝缘氧化层，在所述生长有绝缘氧化层的栅极引出端沟槽内淀积导电多晶硅；所述栅极引出端沟槽外壁侧上方均设有第一导电类型注入层；栅极引出端沟槽对应于槽口上方设置第二引线孔，栅极引出端对应于设置第二引线孔外的其余部分由第二绝缘介质层覆盖，第二引线孔从第二绝缘介质层表面延伸到栅极引出端沟槽内；栅极引出端沟槽上方淀积有栅极金属，所述栅极金属覆盖在第二绝缘介质层上，并填充在第二引线孔内，形成MOS器件的栅极端。