[实用新型]串联式突波抑制优化结构有效

专利信息
申请号: 201020190924.X 申请日: 2010-05-12
公开(公告)号: CN201854033U 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 王治华 申请(专利权)人: 安丰防雷科技股份有限公司
主分类号: H02J3/01 分类号: H02J3/01
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 串联式 抑制 优化结构
【权利要求书】:

1.一种串联式突波抑制优化结构,其特征在于,包括:

一输入端;

一输出端;以及,

多突波抑制单元,串设于该输入端与该输出端之间,每一所述突波抑制单元至少由一组平行电感,及其电感接脚端上所连接的多突波吸收元件所构成;

而且前后级突波抑制单元内的所述平行电感分别设有不同电导值。

2.如权利要求1所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,位于前级的突波抑制单元内设有中电导值的平行电感,而位于后级突波抑制单元内设有低导电值的平行电感。

3.如权利要求2所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,该每一突波抑制单元,包括两所述平行电感,并地线与两该电感的后接脚端间设有三只所述突波吸收元件;又每一所述突波吸收单元内进一步设有一脉波共模回路,该脉波共模回路由斜接设于所述两平行电感前后不同接脚上的一电容所构成;且该多串接突波抑制单元的后端进一步配设有负载平衡电阻。

4.如权利要求3所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,该突波吸收装置输出端进一步设有一突波相位修正补偿回路,该突波相位修正补偿回路包括一桥式二极管后接多被动元件的电阻电容,再经一调整脉波旁路相位的电感,而连接至少一SCR硅控整流器作动对一电容充电,该电容一端连接至少一MOSFET场效电晶体,启动时造成短路使电容的电荷产生强力释放。

5.如权利要求1、2、3或4所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,该多串接的突波抑制单元的前端进一步经一突波吸收触发回路而连接设有一突波计数器或一电磁脉冲波计数器,并具有由所述多串接的突波抑制单元的后端取电的电源充电回路,该电源充电回路包括:变压器、桥式整流器及长效充电电池;而该突波吸收触发回路包括:一连接设于输入端单线上的一突波吸收元件及该突波吸收元件串接的一避雷管;又该多串接突波抑制单元的前端进一步设有突波及电磁脉冲波吸收泄放回路,该突波及电磁脉冲波吸收泄放回路主要是中端接地的避雷管的两端各串接一突波吸收元件,再连接设于两平行电感前端接脚所构成。

6.如权利要求5所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,该突波计 数器或电磁脉冲波计数器上的入侵次数记录并进一步以RS-232或RS-485输出接口而传至电脑中。

7.如权利要求1、2、3或4所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,其进一步配设有过载自动保护单元,该过载自动保护单元包括:一串接设于输入端与旁接电路上的自动复归保护熔丝开关、状态指示灯及设于输出端与旁接电路的切换接点。

8.如权利要求7所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,该过载自动保护单元上进一步具有一智能型微电脑控制电路,该智能型微电脑控制电路包括:一MCU微处理器以连接所述自动复归保护熔丝开关和状态指示灯,所述MCU微处理器后并接设有控制晶体及继电器回路。

9.如权利要求7所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,该多串接突波抑制单元的后端进一步设有机械式过载旁路单元,该机械式过载旁路单元包括以变压器和桥式整流器供电的继电器。

10.如权利要求1、2、3或4所述的串联式突波抑制优化结构,其特征在于,其外部进一步设有一包覆层。 

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