[实用新型]电源变换器及功率集成电路

权利要求书

1.一种电源变换器，其特征在于，包含：

功率集成电路，所述功率集成电路包含开关器件和漏电流器件，且所述功率集成电路还包含一个输入端、一个第一输出端和两个第二输出端；

控制电路，含控制信号输出端和电源输入端；

其中功率集成电路的输入端和控制电路的控制信号输出端连接，两个输出端之一和控制电路的电源输入端连接。

2.如权利要求1所述的电源变换器，其特征在于，输入端为栅极端，第一输出端为漏极端，两个第二输出端分别为第一源极端和第二源极端。

3.如权利要求2所述的电源变换器，其特征在于，功率集成电路包含开关器件和漏电流器件，开关器件的栅极短接栅极端，开关器件的漏极和漏电流器件的漏极短接并和漏极端短接，开关器件的源极短接第一源极端，漏电流器件的源极短接第二源极端并和控制电路的电源输入端连接。

4.如权利要求3所述的电源变换器，其特征在于，开关器件为MOSFET，漏电流器件为JFET。

5.如权利要求4所述的电源变换器，其特征在于MOSFET与JFET的漏极短接，JFET的栅极和源极短接。

6.如权利要求4所述的电源变换器，其特征在于，MOSFET与JFET的漏极短接，JFET的栅极浮置。

7.如权利要求3所述的电源变换器，其特征在于，开关器件为增强型MOSFET，漏电流器件为耗尽型MOSFET，增强型MOSFET和耗尽型MOSFET的栅极和漏极分别短接。

8.如权利要求3-7之一所述的电源变换器，其特征在于，开关器件和漏电流器件为垂直型器件。

9.如权利要求2-7之一所述的电源变换器，其特征在于，功率集成电路和含控制电路的控制芯片被封装在一个封装体中。

10.如权利要求3所述的电源变换器，其特征在于，功率集成电路的半导体衬底比制作控制电路的半导体衬底具有更高的电阻率。

11.如权利要求3所述的电源变换器进一步包含：

整流电路，含输入端和输出端；

原边绕组，耦合至整流电路的输出端和功率集成电路的漏极端；

副边绕组，通过变压器耦合至原边绕组；

整流管，耦合至副边绕组；

以及滤波电容，耦合至整流管。

12.一种功率集成电路，包含开关器件和漏电流器件，其特征在于，开关器件包含输入极、第一输出极和第二输出极，漏电流器件包含第一输出极和第二输出极，其中开关器件和漏电流器件两者的第一输出极短接，开关器件和漏电流器件两者的第二输出极相互独立。

13.如权利要求12所述的功率集成电路，其特征在于，开关器件和漏电流器件两者的第一输出极都为漏极，开关器件和漏电流器件两者的第二输出极都为源极。

14.如权利要求12所述的功率集成电路，其特征在于，开关器件为MOSFET器件，漏电流器件为JFET器件。

15.如权利要求12所述的功率集成电路，其特征在于，开关器件为增强型MOSFET器件，漏电流器件为耗尽型MOSFET器件。