[实用新型]板上芯片发光二极管结构无效

专利信息
申请号: 201020206881.X 申请日: 2010-05-28
公开(公告)号: CN201741721U 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 陈烱勋 申请(专利权)人: 陈烱勋
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人: 刘俊
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 发光二极管 结构
【权利要求书】:

1.一种板上芯片发光二极管结构,其特征在于,包括:

一陶瓷基板,具电气绝缘特性且由陶瓷材料构成;

一热辐射散热薄膜,形成于该陶瓷基板上,具热辐射散热功能;

一发光二极管芯片,是在蓝宝石基板上形成;

一黏着导热层,连结该发光二极管芯片至该热辐射散热薄膜上;

一纳米釉层,具电气绝缘特性,由纳米颗粒经烧结而形成,并包围住该热辐射散热薄膜;

一电路层,位于该纳米釉层上,且具有一电路图案,并可由导电材料构成,利用涂布方式将黏着导热层涂布在该纳米釉层上经烘烤后而形成具黏着导热层的电路图案;

多个连接线,用以连接该发光二极管芯片至该电路层;以及

一荧光胶,涂布在该发光二极管芯片上以提供荧光作用;以及

一封装胶,具高透光性及电气绝缘性,且包覆住该电路层、所述连接线、该纳米釉层及该荧光胶。

2.如权利要求1所述板上芯片发光二极管结构,其特征在于,该陶瓷材料包括氧化铝、氮化铝、氧化锆及氟化钙的其中之一。

3.如权利要求1所述板上芯片发光二极管结构,其特征在于,该LED芯片至少包括依序堆栈的N型半导体层、半导体发光层、P型半导体层,该半导体发光层在顺向偏压下经电子电洞对的复合作用而产生光线。

4.如权利要求1所述板上芯片发光二极管结构,其特征在于,该电路层的电路图案利用涂布方式将黏着导热层涂布在该纳米釉层上经烘烤后而形成。

5.如权利要求1所述板上芯片发光二极管结构,其特征在于,该纳米釉层的纳米颗粒包括氧化铝、氮化铝、氧化锆及氟化钙的其中之一。

6.如权利要求1所述板上芯片发光二极管结构,其特征在于,该封装胶由包括硅胶或环氧树脂的材料所构成。

7.如权利要求1所述板上芯片发光二极管结构,其特征在于,进一步包括一匀光层,该匀光层由高透光性材料构成且具有雾化表面,该匀光层的雾化表面具有表面粗糙度Ra为10至2000之间。

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