[实用新型]一种大功率LED

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED领域(发光二极管)，尤其涉及一种大功率LED。

背景技术

目前，大功率LED大部分采用高导热材质的基板，多以低温共烧陶瓷基板(LTCC)作为晶粒散热基板，其导热系数(TC)一般在3w/m.k～4w/m.k，线性膨胀系数(CTE)在4.5ppm/～7ppm/k，外观呈白色，具有一定的导热能力。

如图1所示，LED芯片3通过高导热银胶固定在陶瓷基板1的上表面，其正负极使用金线5连接至基板1上表面的金属互联层，该金属互联层包括依次涂覆在基板1上表面的第一银层21、镍层22和第二银层23。其中，第一银层21通过基板1上贯通其上下表面的银通孔11，与基板1下方的电极4导通，镍层22用于隔离两个银层，第二银层23用于增强光反射。基板1下方还设有用于LED散热的热沉焊盘6，LED芯片2发光产生的热量通过基板1上的通孔传导至热沉焊盘6。LED芯片2上还覆盖荧光胶薄层8用于合成白光，基板1的上表面还覆盖球面状的硅胶层7。

这种LED封装方式一般使用于功率为1W的LED，例如，OSRAM公司生产的以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基板的一种LED，热阻的最小值为6.5℃/W左右。然而，对于更大功率的LED，陶瓷基板的热阻较大，散热效果不佳，使LED在长期点亮过程中，LED芯片结温较高，光衰很大，影响LED的工作寿命。

实用新型内容

本实用新型要解决的主要技术问题是，提供一种散热性能好，且提高光效的大功率LED。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种大功率LED，包括硅基板、LED芯片和透明胶层，所述硅基板的上表面镀覆用于引出所述LED芯片电极的金属互联层，所述金属互联层的上表面镀覆纳米银膜；所述LED芯片固定在所述镀覆纳米银膜的金属互联层上，所述透明胶层覆盖在所述硅基板和LED芯片的上方。

一种实施方式中，所述金属互联层包括依次镀覆在所述硅基板上表面的镍层和银层。

另一种实施方式中，所述金属互联层包括依次镀覆在所述硅基板上表面的铜层和银层。

优选地，所述LED芯片共晶焊接在所述金属互联层上。

优选地，所述金属互联层包括分别引出LED芯片的正、负电极的两部分，所述两部分金属互联层之间采用绝缘的隔离层隔开。

进一步地，所述隔离层为填充在所述两部分金属互联层之间的不变黄白胶层。

对于白光LED，所述LED芯片的上表面覆盖荧光粉薄层。

进一步地，所述硅基板上具有采用银浆贯通其上下表面的银通孔，所述硅基板的下表面还设置与所述银通孔的位置对应的热沉。

一种大功率LED中，所述LED芯片的数量为多个，所述多个LED芯片串联或并联。

根据具体需要，所述透明胶层的上表面为凸起的球面或平面。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的LED采用导热性好的硅基板，因此散热性能大幅提高，能够有效降低结温，减少光衰；同时在金属互联层上镀覆纳米银膜，显著提高了LED的出光效率。

本实用新型LED在两部分金属互联层之间填充不变黄白胶层，显著增强了光反射效果，提高了光效，防止了银层表面发黄发黑等，提高了LED的可靠性。

本实用新型LED包括多个相互串联或者并联的LED芯片，进一步提高了亮度，适用于路灯、探照灯、顶灯、壁灯等多种LED照明器件。

附图说明

图1为一种现有的LED剖视图；

图2为本实用新型第一种实施例的大功率LED的剖视图；

图3为本实用新型第二种实施例的大功率LED的剖视图；

图4为本实用新型第三种实施例的大功率LED的剖视图；

图5为本实用新型第四种实施例的大功率LED的剖视图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

实施例一：

如图2所示，本实施方式的LED包括基板1、LED芯片3、以及覆盖在基板1和LED芯片3上方的透明胶层7。基板1的上表面镀覆金属互联层，金属互联层的上表面还镀覆纳米银膜，LED芯片3固定在镀覆纳米银膜的金属互联层上，且通过两根金线5与金属互联层相连。金属互联层利用贯通基板1上下表面、且灌有金属银的银通孔11，引出LED芯片3的电极至设置在基板1下方的电极引脚4。