[实用新型]一种X射线显微透射成像用窗口无效
| 申请号： | 201020214623.6 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN201689695U | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 侯克玉;贺周同;孔旭东;王晟 | 申请（专利权）人： | 上海纳腾仪器有限公司 |
| 主分类号： | G21K7/00 | 分类号： | G21K7/00;C23C16/34;C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201616 上海市松江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射线 显微 透射 成像 窗口 | ||
1.一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，包括：
一硅晶片衬底，所述硅晶片衬底包含衬底底部和衬底顶部；
形成在所述硅晶片衬底上的一氮化硅薄膜窗口沟槽，所述氮化硅薄膜窗口沟槽为一倒置的包含一底面开口、一顶面开口的正四棱台空穴结构；
所述底面开口位于所述衬底底部、所述顶面开口位于所述衬底顶部；以及
设置在所述衬底底部的一层第一氮化硅薄膜。
2.如权利要求1所述的一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，所述硅晶片衬底为100晶向的N型或P型单晶硅。
3.如权利要求1所述的一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，所述硅晶片衬底的厚度为200μm。
4.如权利要求1所述的一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，所述第一氮化硅薄膜为100nm厚度的低应力氮化硅薄膜。
5.如权利要求1所述的一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，所述X射线显微透射成像用窗口还进一步包括：
设置在所述硅晶片衬底的所述衬底顶部的一层第二氮化硅薄膜；以及形成在所述第二氮化硅薄膜上的一刻蚀开口区，所述刻蚀开口区的尺寸大小与所述顶面开口的尺寸大小相同，且所述刻蚀开口区位于所述顶面开口上方并在垂直方向上与所述顶面开口对准重合。
6.如权利要求5所述的一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，所述硅晶片衬底为100晶向的N型或P型单晶硅。
7.如权利要求6所述的一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，所述硅晶片衬底的厚度为525μm。
8.如权利要求5所述的一种X射线显微透射成像用窗口，其特征在于，所述第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜均为为100nm厚度的低应力氮化硅薄膜。
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