[实用新型]磁敏达林顿晶体管

权利要求书

1.一种磁敏达林顿晶体管，在所述达林顿晶体管的截面上，包括第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底与第一导电类型的外延层，所述第一导电类型外延层邻接所述第一导电类型衬底；其特征是：

在所述达林顿晶体管的截面上，所述第一导电类型外延层上部设有第一区域与第二区域；所述第一区域与第二区域均包括第二导电类型基区及位于所述第二导电类型基区上部的第一导电类型发射区；所述第一区域内的第二导电类型基区与第二区域内的第二导电类型基区利用第一导电类型外延层相隔离；所述第一导电类型外延层上淀积有第一介质层；所述第一区域与第二区域内对应的第二导电类型基区、第一导电类型发射区上方分别设有第一接触孔与第二接触孔；所述第一接触孔与第二接触孔内均淀积有互连金属层，所述互连金属层与对应的第二导电类型基区及第一导电类型发射区相接触；所述互连金属层上淀积有第二介质层；所述第二介质层将对应第一接触孔与第二接触孔内的互连金属层相隔离；所述第一区域内的第一导电类型发射区通过互连金属层与第二区域内的第二导电类型基区连接成等电位；所述第一区域内对应于第二导电类型基区上方设有第一连接孔；所述第二区域内对应于第一导电类型发射区上方设有第二连接孔，所述第二连接孔与第一连接孔均从第二介质层的表面延伸到互连金属层；所述第二连接孔内淀积有磁性层，所述磁性层填充在第二连接孔内，并覆盖在第二介质层上；所述磁性层通过互连金属层与第二区域内的第一导电类型发射区连接。

2.根据权利要求1所述的磁敏达林顿晶体管，其特征是：所述第二介质层上设有第三连接孔，所述磁性层填充在第三连接孔内，并与第三连接孔内的互连金属层相接触。

3.根据权利要求1所述的磁敏达林顿晶体管，其特征是：所述互连金属层的材料包括铝。

4.根据权利要求1所述的磁敏达林顿晶体管，其特征是：所述磁性层的材料包括GMR或TMR。

5.根据权利要求1所述的磁敏达林顿晶体管，其特征是：所述第一介质层与第二介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

6.根据权利要求1所述磁敏达林顿晶体管，其特征是：上所述第一导电类型外延层的厚度为1μm～500μm。

7.根据权利要求1所述的磁敏达林顿晶体管，其特征是：所述磁性层的厚度为10μm～10000μm。

8.根据权利要求1所述的磁敏达林顿晶体管，其特征是：所述第二介质层的厚度为100～10000μm。

9.根据权利要求1所述的磁敏达林顿晶体管，其特征是：所述半导体基板的材料包括硅。