[实用新型]产生磁性偏置场的多层薄膜结构有效

专利信息
申请号: 201020217387.3 申请日: 2010-06-01
公开(公告)号: CN201820566U 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 王建国;薛松生 申请(专利权)人: 王建国;薛松生
主分类号: H01F10/10 分类号: H01F10/10;H01F10/12
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 产生 磁性 偏置 多层 薄膜 结构
【权利要求书】:

1.一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是,包括:

种子层;

至少一层磁性被钉扎层,所述磁性被钉扎层产生磁性偏置场;

至少一层非磁性钉扎层,所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定。

2.根据权利要求1所述的产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是:所述种子层上方还设有保护层;所述保护层与种子层间设置至少一层磁性被钉扎层与至少一层非磁性钉扎层。

3.一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是,包括:

种子层;

硬磁层,所述硬磁层位于种子层上,所述硬磁层产生磁性偏置场;

电流导线,所述电流导线缠绕在种子层与硬磁层的复合层外周面上。

4.根据权利要求3所述的产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是:所述种子层上方还设有保护层,所述保护层位于硬磁层上;所述电流导线缠绕在种子层、硬磁层与保护层形成复合层的外周面。 

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