[实用新型]一种隔离式电子陶瓷表面局部化学镀滚筒

说明书

技术领域

本发明涉及瓷介电容器，热敏电阻，压敏电阻，通过局部化学镀形成良好欧姆接触电极。特别涉及一种隔离式电子陶瓷表面局部化学镀滚筒。 

背景技术

瓷介电容器，PTC，NTC热敏电阻和压敏电阻金属电极的形成。90％以上工艺采用五十年代从前苏联和东欧国家引进的被银烧渗方法。近60年来，虽然银浆配方有部分改进，可工艺几乎没有变化；即用贵金属银或它的化合物加上有机溶剂和添加剂，球磨成粘稠的浆状物，然后通过丝网印刷的方法涂到前瓷体需金属化的部位。干燥后经过790-840℃的范围内进行烧渗。为了使表面银层具有一定厚度和均匀附着，还需要二次或三次被银三次烧渗。有时为了保证热敏电阻良好的欧姆接触电极的制造，还需事先印刷铝浆料。Ag-Zn浆料烧渗层。有时为了满足电容器电极的可焊性，耐焊性，还需要在银层上电镀铜，热浸锡等。整个工艺复杂，价格昂贵。目前每公斤银浆的价格约肆仟元，其中固体物只占60％，即烧渗获得的单质银更低，因此瓷介电容器，热敏电阻，压敏电阻市场价格一直是制约电子元件企业发展的瓶颈。也就是说，用价格便宜的铜或镍电极代替银电极势在必行。 

由于传统被银工艺复杂，原料银浆的成本高，经济效益低，同时，被银层的耐焊性差，有共熔现象；在电路中长期有银离子迁移，而导致电容器或热敏电阻的电性能下降。近二十年来，国内、外已进行了化学镀镍或铜电极代替被银烧渗电极工艺的研究。最初由日本开发，80年代引入中国应用。它是采用传统的敏化-活化法，接着在化学镀液中沉积一层金属铜或镍。经清洗干燥后，用空心磨床磨去周围的镀层，最后用有机溶剂洗去粘合用的蜡，目前仍有个别电子行业使用。尽管此方法能部分能用镀镍或铜电极代替传统的被银工艺制备的银电极，但此工艺复杂，仅适用片状电子元件，并且在周遍镀层磨削过程中易沿面污染，从而发生绝缘破坏，致使基体的厚度不能太薄。另外，通过传统的敏化-活化法产生镀层的附着力不高，最后粘合剂-蜡的清洗也易造成环境污染。 

我们通过十几年的不断探索和技术改进，开发了无引线瓷介电容化学镀镍和铜新工艺(中国发明专利CN1057300A)。并且在部分电子元件厂推广应用，产品已出口东南亚和欧洲国家。近几年来，我们将此技术扩展到热敏电阻和压敏电阻制造良好欧姆接触电极的过程，并将PTC热敏电阻局部化学镀铜工艺在电子元件企业工业化试生产。获得了满意的电性能指标和经济效益(中国发明专利CN101429655A)。事实表明，此方法技术成熟，各种电性能指标满足国标要求。且生产成本大幅下降。此技术的推广应用可为电子企业带来可观的经济效益。但是，此技术的开发过程中，我们发现传统地化学镀滚筒不能满足PTC热 敏电阻等局部化学镀铜技术的要求。局部过热易导致镀液分解，镀层边缘清晰度变差。 

发明内容

为了解决现有技术的不足，根据热敏电阻局部化学镀铜制备良好欧姆接触NiP-Cu复合电极的特点，设计和制造一种适合于瓷介电容器，热敏电阻和压敏电阻局部化学镀的隔离式滚筒。满足电子行业电子元件金属电极的制备过程中应用。我们开发了一种隔离式电子陶瓷表面局部化学镀铜或镍滚筒。 

本实用新型的技术方案是： 

一种隔离式电子陶瓷表面局部化学镀滚筒，其特征在于他是由齿轮转动装置(1)，滚筒(2)，中心转轴(3)，含中心轴的滚筒盖(4)，内部支架(5)和筒内隔板(6)组成；齿轮转动装置位于滚筒外层上；内部支架和滚筒由筒内隔板连接；滚筒(2)和通过中心转轴的滚筒盖(4)上设置有许多孔。 

所述的齿轮转动装置位于滚筒的中部、两端或中心转轴上。 

所述的滚筒圆柱型或多棱柱体的任何一种。 

所述的滚筒(2)和含中心轴的滚筒盖(4)上均布满直径为3-15mm圆孔。 

所述的内部支架(5)是五方柱体、六方柱体或圆柱体；内部支架的外表面凸凹不平。 

所述的隔板的两面呈现凸凹不平的外貌结构，其凸点可以选择四方锥，圆锥体或四方梯形结构；凹点部位为均匀分布的圆孔。 

上述的凸点选择四方锥，圆锥体或四方梯形结构；凹点部位钻直径为4-10mm的圆孔。 

所述化学镀滚筒的材料为PVC、有机玻璃或聚四氟乙烯的非导体材料。 

本实用新型的有益效果是：在电子元件表面金属的沉积过程中，化学镀件在滚筒的不同位置沉积金属层。消除了传统的滚筒因镀件堆积引起的局部过热而导致的镀液分解。同时镀件以点和线的形式与滚筒接触，而不是以面的形式与滚筒接触，消除了金属沉积过程中的浓差极化。保证化学镀层边缘的清晰度和电性能。 

附图说明