[实用新型]双面同时静电封接的结构型力敏传感器

权利要求书

1.双面同时静电封接的结构型力敏传感器，由玻璃-硅-玻璃极板组成差动层叠结构，硅中心极板采用双面抛光硅片，固定极板采用抛光玻璃，采用硅微机械加工技术制作，包括采用溅射工艺、光刻腐蚀工艺，压焊工艺、静电封接工艺，其特征是上、下玻璃极板和硅中心极板上都有图形结构和压焊点，上、下玻璃极板通过压焊点上的电极引线同时接电源负极，硅中心极板通过压焊点上的电极引线与直流电源正电极连接，在封接条件下实现玻璃-硅-玻璃层叠结构的双面同时静电封接。

2.根据权利要求1所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器，其特征在于硅电容差压传感器的层叠结构：由上至下叠放的次序为上玻璃(2a)、硅中心极板(1)、下玻璃(2b)，硅材料(1)上的可动岛(4)与上玻璃(2a)、下玻璃(2b)上的金属电极层(5)相互对准，上、下玻璃极板和硅中心极板上都有图形结构和压焊点，上、下玻璃极板(2a、2b)通过压焊点上的电极引线同时接电源负极，硅中心极板通过压焊点上的电极引线(7)与电源正电极连接，

3.根据权利要求2所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器，其特征在于硅电容差压传感器的上玻璃(2a)、下玻璃(2b)平面中心有孔(e)，上、下面及孔的侧壁均有溅射工艺形成的金属电极层(5)，孔(e)侧壁的金属导电层相当于金属连线(8)，将金属电极层(5)端引出作为封接电压的电极引线。

4.根据权利要求2所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器，其特征在于硅电容差压传感器还可以由压焊在电极层(5)上的硅铝丝作为上玻璃(2a)、下玻璃(2b)封接电压的电极引入线同时接封接电压的负极。

5.根据权利要求2所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器，其特征在于硅电容差压传感器中也可以直接在上玻璃(2a)、下玻璃(2b)上搭接金属电极同时接封接电压的负极。

6.一种双面同时静电封接的结构型传感器，其特征在于硅电容加速度传感器的层叠结构：由上至下叠放的次序为上玻璃(2c)、硅中心极板(1)、下玻璃(2d)、加热板(3)，硅中心极板(1)上的可动岛(4)与上玻璃(2c)、下玻璃(2d)上的金属电极层(5)相互对准，硅中心极板(1)上的电极引线(7)和直流电压的正极相接，在上玻璃(2c)上表面直接搭接金属电极和直流电压的负极相连，加热板(3)连接到直流电压的负电极，下玻璃(2b)通过导电的加热板(3)也和直流电压的负极相连，上玻璃(2c)、下玻璃(2d)极板同时接等电位并接直流电压的负极。

7.根据权利要求6所述的双面同时静电封接的结构型力敏传感器，其特征在于硅电容加速度传感器的层叠结构：上玻璃(2c)也可以通过在其边缘压焊点(10)上采用压焊工艺焊上一硅铝丝作为封接电压的电极引线(9)接封接电压的负极。 

8.根据权利要求6所述的双面同时静电封接的硅电容加速度传感器，其特征在于中心有一可动岛(4)的硅中心极板(1)边缘为封接面(12)，在封接面上的相应部位有槽(11)，可容纳上玻璃(2c)、下玻璃(2d)上的金属电极连线(8)，在硅中心极板(1)的封接面之外，有预先制作的压焊点(6)和封接电压的电极引线(7)。

9.根据权利要求6所述的双面同时静电封接的硅电容加速度传感器，其特征在于上玻璃(2c)、下玻璃(2d)表面均有采用溅射、光刻工艺形成的金属电极层(5)，再用光刻、腐蚀工艺将该电极层加工出与边缘压焊点(10)相连的金属电极连线(8)。