[实用新型]磁控溅射靶屏蔽装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜技术，特别涉及一种磁控溅射靶屏蔽装置。

背景技术

目前，磁控溅射镀膜机溅射靶结构由早期的平面靶结构逐渐向柱状旋转靶结构方向发展，并形成了多种柱状磁控溅射靶结构。柱状溅射靶的实现，大幅度提高了靶材利用率，同时使靶的结构也更加简单、可靠。如中华人民共和国专利CN200510021648.8提到的一种旋转磁场平面靶磁控溅射装置，以及中华人民共和国专利CN200610062227.4提到的柱状磁控溅射器，均采用了不同形式的柱状靶结构。在上述溅射靶中，为了达到溅射靶阴极和阳极之间的绝缘，除了设置了各种绝缘装置外，还必须设计各种屏蔽装置，以阻挡因溅射镀膜造成阴极和阳极之间的绝缘失效。现有柱状旋转靶的屏蔽结构主要是间隙屏蔽结构，如图1所示，在溅射阴极与法兰盘(接地阳极)之间设计了一个简单的柱状屏蔽件，这样溅射靶在溅射过程中，由于屏蔽件与法兰盘孔之间存在间隙，因此，可以实现阴极与接地阳极之间的绝缘。另一种结构如图2所示，在图1的结构基础上增加了外翻结构的屏蔽面，使屏蔽效果更加有效。

然而，在使用过程中发现上述结构存在以下问题：在长期镀膜过程中屏蔽件和法兰盘表面也会涂覆上涂层，随着镀膜时间的累积，涂层厚度会增加，逐渐减小了屏蔽件与法兰盘之间的屏蔽间隙，当间隙小到一定程度时，就会在溅射靶阴极与法兰盘(接地阳极)之间产生弧光放电，造成溅射靶绝缘损毁，甚至造成溅射靶座或溅射电源的损坏。

发明内容

本实用新型的目的在于提出了一种迷宫式多沟槽结构磁控溅射靶屏蔽结构，该种结构可以完全解决现有屏蔽结构存在的问题，即使屏蔽装置上部分涂覆了较厚的涂层，但由于迷宫式多沟槽结构的存在，使屏蔽装置上的涂层形成断续状，不行形成连续的涂层结构，从而也无法形成溅射阴极和法兰盘(接地阳极)之间的电弧放电。实现的阴极和阳极之间的彻底屏蔽。同时，迷宫式多沟槽结构采用活动式装配结构，当柱状溅射靶因溅射消耗达到一定程度需要更换新靶材时，只要简单的对屏蔽结构外表面和沟槽部分表面涂层进行加工与清除，即可重新装到新溅射上使用。

为达上述目的，本实用新型一种磁控溅射靶屏蔽装置，溅射靶的一端与溅射靶座相连接，在溅射靶座和法兰盘之间安装有绝缘密封件，屏蔽装置中间的通孔与溅射靶相套接并使该屏蔽装置抵接至该绝缘密封件上，该屏蔽装置与法兰盘之间留有间隙；其中：在该屏蔽装置的外圆周表面上设有至少一道沟槽和至少一个凸台。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该沟槽为矩形或梯形。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该屏蔽装置远离该溅射靶座的一端的端面上设有与该溅射靶同轴的至少一道凹槽。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该凹槽为矩形或梯形。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该屏蔽装置上的凸台能够完全遮挡该屏蔽装置与法兰盘之间的间隙。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该屏蔽装置上设有一定位锁紧孔，通过插栓连接或螺纹连接使该屏蔽装置与该溅射靶相固定。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该屏蔽装置靠近该绝缘密封件的一端的外圆周表面上设有一圈定位锁紧螺纹，该绝缘密封件上设有与该定位锁紧螺纹相配合的螺纹，使屏蔽装置与该绝缘密封件定位锁紧。所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该屏蔽装置上的沟槽的宽度和深度在0.1～30mm之间。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该屏蔽装置上的凹槽的宽度和深度在0.1～30mm之间。

所述的磁控溅射靶屏蔽装置，其中，该间隙的尺寸在0.1～30mm之间。

本实用新型的有益效果在于：该种结构可以完全解决现有屏蔽结构存在的问题，即使屏蔽装置上部分涂覆了较厚的涂层，但由于迷宫式多沟槽结构的存在，使屏蔽装置上的涂层形成断续状，不行形成连续的涂层结构，从而也无法形成溅射阴极和法兰盘(接地阳极)之间的电弧放电。实现的阴极和阳极之间的彻底屏蔽。同时，迷宫式多沟槽结构采用活动式装配结构，当柱状溅射靶因溅射消耗达到一定程度需要更换新靶材时，只要简单的对屏蔽结构外表面和沟槽部分表面涂层进行加工与清除，即可重新装到新溅射上使用。此外，由于屏蔽装置的外圆周表面和端面上采用多道槽结构，屏蔽装置的壁厚较厚，因此，与常规屏蔽装置比较，具有更好的耐热变形能力，且一般屏蔽装置采用耐高温的绝缘材料，一般能承受较高的温度。

附图说明

图1为公知的溅射靶屏蔽结构；

图2为公知的带有外翻结构的溅射靶屏蔽结构；

图3为本实用新型第一实施例迷宫式矩形沟槽溅射靶屏蔽装置；

图4为图3中的迷宫式矩型沟槽屏蔽装置；