[实用新型]等离子体浸没离子注入设备有效
| 申请号： | 201020238000.2 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN201785482U | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 浸没 离子 注入 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，其特征在于：
所述离子注入腔室内四壁设有可拆卸内衬；所述内衬包括顶部内衬、两侧壁内衬和底部内衬，所述底部内衬设置在所述离子注入腔室底部，所述侧壁内衬设置在所述底部内衬之上，所述顶部内衬可设置在所述侧壁内衬之上。
2.根据权利要求1所述的等离子体浸没离子注入设备，其特征在于：
所述顶部内衬和底部内衬上均匀开设多个圆孔，所述圆孔直径为0.5mm到5mm，圆孔面积占空比为5％到50％。
3.根据权利要求1所述的等离子体浸没离子注入设备，其特征在于：
所述离子注入腔室内四壁内衬厚度均为0.1mm到20mm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的等离子体浸没离子注入设备，其特征在于：
所述内衬由单晶硅、多晶硅、非晶硅、二氧化硅、石墨、不锈钢或铝材料制成。
5.根据权利要求4所述的等离子体浸没离子注入设备，其特征在于：
所述由石墨、不锈钢或铝材料制成的内衬的内壁喷涂有单晶硅、多晶硅、非晶硅或二氧化硅。
6.根据权利要求5所述的等离子体浸没离子注入设备，其特征在于：
所述单晶硅、多晶硅、非晶硅或二氧化硅材料厚度范为10μm到1000μm。
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