[实用新型]多晶硅还原炉进料喷嘴

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种喷嘴，特别是一种多晶硅还原炉的进料喷嘴。

背景技术

目前，国内外生产多晶硅的主要工艺技术是“改良西门子法”：用氯气和氢气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内，在一定的温度和压力下，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅，反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。

多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备，由还原炉炉底盘、带有夹套冷却水的钟罩式炉体、电极、视镜孔、混合气进料管、混合气进料喷嘴、混合气尾气管、炉底盘冷却水管等组成。

在实际生产中，为了使产品表面光滑、有灰金属光泽度，同时提高产品的致密度等，经常需要在工艺上进行调整，还原炉内的工况情况本身就比较复杂，如果进料喷嘴固定，单纯的依靠工艺调节来优化产品质量比较困难，具体体现在：如果喷嘴一定，要改变喷流速度或者是喷流流量，那么就要改变其进料管道上的进料装置的温度、压力、流量等参数，但是在整个系统中，如果要改变这些参数，将要对系统或者部分系统重新做平衡，使得整个过程复杂化。

目前由于多晶硅还原炉生产成本高，一般情况下，已经成形的还原炉不会做相应的改动，炉底盘的进料喷嘴的位置也就不会改变，如果可以改变喷嘴的大小，那么在不改变工艺管道和设备的情况下，就可以结合自己的工况情况进行调整以达到自己的产品生产要求，大大降低了生产成本。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述情况，提供一种方便拆卸的、可调整的多晶硅还原炉进料喷嘴。

为了达到上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案： 

一种多晶硅还原炉进料喷嘴，连接在还原炉炉底盘的进料口处，所述进料喷嘴上部为喷嘴段，下部为连接段，所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔，所述进料喷嘴与还原炉底盘的连接方式为可拆卸式连接。

作为优选方式，所述还原炉炉底盘的进料口内壁设有内螺纹，所述进料喷嘴的连接段外部设有和底盘进料口内壁内螺纹配合的外螺纹。

作为优选方式，所述进料喷嘴内部的喷嘴孔的直径为5-20mm 。

作为优选方式，所述进料喷嘴的喷嘴段的高度为3-20mm。

作为优选方式，所述进料喷嘴的喷嘴段上设有六角形的扳手夹持段。

本实用新型的有益效果是：可以根据现场实际情况调节喷嘴大小，而不需要对系统做任何大规模的调整，简化了工艺调节过程，节约了生产成本，通过更换不同直径的喷嘴孔的喷嘴来改变进料管道上的进料流速、流量等参数从而使产品表面光滑、有灰金属光泽度，喷嘴段高度过高会使喷嘴被炉内的高温灼伤，喷嘴高度过低又使喷入的料所能达到的高度过低而影响产品的后续生产，所以设置了较佳的喷嘴段高度和喷嘴孔大小，有利于多晶硅的沉积、产品致密度的增加，提高了产品的质量和产量，六角形的扳手夹持段便于使用扳手进行紧固，方便操作。

附图说明

图1是进料喷嘴与还原炉底盘连接示意图。

图2是进料喷嘴俯视图。

图中标记：1为进料喷嘴，2为还原炉底盘，3为喷嘴孔，4为扳手夹持段，5为高度为H的喷嘴段，6为连接段，7为进料口。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

实施例1

如图1、图2所示，一种多晶硅还原炉进料喷嘴1，连接在还原炉底盘2的进料口7处，所述进料喷嘴上部为喷嘴段5，其高度H为3mm，下部为连接段6，所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔3，喷嘴孔的直径为5mm，所述还原炉底盘的进料口7内壁设有内螺纹，所述进料喷嘴的连接段6外部设有和底盘进料口内壁内螺纹配合的外螺纹。所述进料喷嘴的喷嘴段上设有六角形的扳手夹持段4，用扳手进行固定封死。

根据实际生产情况调节喷嘴段5的高度H和喷嘴孔3的直径大小来优化混合气体气场的分布。

实施例2

一种多晶硅还原炉进料喷嘴1，连接在还原炉炉底盘的进料口7处，所述进料喷嘴上部为喷嘴段5，其高度H为20mm，下部为连接段6，所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔3，喷嘴孔的直径为20mm，所述还原炉炉底盘的进料口7内壁设有内螺纹，所述进料喷嘴的连接段6外部设有和底盘进料口内壁内螺纹配合的外螺纹。所述进料喷嘴的喷嘴段上设有六角形的扳手夹持段4，用扳手进行固定封死。

根据实际生产情况调节喷嘴段5的高度H和喷嘴孔3的直径大小来优化混合气体气场的分布。