[实用新型]多波长发光二极管

权利要求书

1.一种多波长发光二极管，其特征在于包括：

复数个多量子阱发光单元；

位于所述复数个多量子阱发光单元上方的p型掺杂的AlGaN层、位于所述p型掺杂的AlGaN层上方的p⁺掺杂的GaN层，位于所述p⁺掺杂的GaN层上方的透明导电膜以及位于所述透明导电膜上方的p型欧姆接触电极；

位于所述复数个多量子阱发光单元下方的n⁺掺杂的GaN层、位于所述n⁺掺杂的GaN层下发的n型掺杂的GaN层、位于所述n型掺杂的GaN层下方的GaN缓冲层、与所述n⁺掺杂的GaN层接触的n型欧姆接触电极，以及位于所述GaN缓冲层下方的衬底；

其中，所述复数个多量子阱发光单元所发出光线的波长沿光传播方向递减。

2.如权利要求1所述的多波长发光二极管，其特征在于：所述复数个多量子阱发光单元的数量大于或等于2。

3.如权利要求2所述的多波长发光二极管，其特征在于：每个多量子阱发光单元包括N个量子阱，所述N个量子阱中的N包括大于等于1且小于等于100的整数。

4.如权利要求3所述的多波长发光二极管，其特征在于：所述量子阱发光单元包括非掺杂的势垒层和非掺杂的势阱层，且所述势阱层的带隙小于所述势垒层。

5.如权利要求2所述的多波长发光二极管，其特征在于：所述复数个多量子阱发光单元包括第一多量子阱发光单元、第二多量子阱发光单元和第三多量子阱发光单元，所述第一多量子阱发光单元位于n型掺杂GaN层的上方，所述第三多量子阱发光单元位于所述p型掺杂AlGaN层的下方。

6.如权利要求5所述的多波长发光二极管，其特征在于：所述第一多量子阱发光单元的发光波长大于所述第二多量子阱发光单元的发光波长，所述第二多量子阱发光单元的发光波长大于所述第三多量子阱发光 单元的发光波长。

7.如权利要求6所述的多波长发光二极管，其特征在于：

所述第一多量子阱发光单元的势垒层材料的光学带隙大于2eV，势阱层材料的光学带隙小于2eV；

所述第二多量子阱发光单元的势垒层材料的光学带隙大于2.5eV，势阱层材料的光学带隙小于2.5eV；

所述第三多量子阱发光单元的势垒层材料的光学带隙大于3eV，势阱层材料的光学带隙小于3eV。

8.如权利要求1所述的多波长发光二极管，其特征在于：所述复数个多量子阱发光单元之间具有高带隙势垒材料层。

9.如权利要求8所述的多波长发光二极管，其特征在于：所述高带隙势垒材料为AlGaN。

10.如权利要求1所述的多波长发光二极管，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、硅或锗。

11.如权利要求7所述的多波长发光二极管，其特征在于：

所述第一多量子阱发光单元的势垒层材料包括GaN或AlGaAs，势阱层材料包括GaAs或InP；

所述第二多量子阱发光单元的势垒层材料包括GaN，势阱层材料包括InN或GaP或AlP或AlAs或InGaP；

所述第三多量子阱发光单元的势垒层材料包括GaN，势阱层材料包括InGaN。