[实用新型]应用于强磁场下的高压连接导体有效

专利信息
申请号: 201020247388.2 申请日: 2010-07-02
公开(公告)号: CN201781079U 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 乌尔班·奥斯特伦;斯特凡·瓦尔德马松;佩尔·H·卡尔松;吴冬 申请(专利权)人: ABB技术有限公司
主分类号: H01R11/00 分类号: H01R11/00
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人: 王昭林;崔华
地址: 瑞士苏黎世*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 应用于 磁场 高压 连接 导体
【权利要求书】:

1.一种应用于强磁场下的高压连接导体,包括一个主平面导体(1),其特征在于:主平面导体(1)上装配有多个管状导体(2),管状导体(2)通过绝缘支撑(4)和导电支撑(5)附于主导体上,使主平面导体(1)的周围形成一个电晕罩。

2.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体,其特征在于:导电支撑(5)是一个潜在连接,它连接到主平面导体(1)的中间部位,导电支撑(5)有两个,对称分布主平面导体(1)的两边。

3.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体,其特征在于:主平面导体(1)的边缘还装有主管状导体(3)。

4.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体,其特征在于:管状导体(2)的横界面为圆形或椭圆形。

5.根据权利要求3所述的应用于强磁场下的高压连接导体,其特征在于:主管状导体(3)的横界面为圆形或椭圆形。

6.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体,其特征在于:主平面导体(1)宽度(D4)在300-600mm之间。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的应用于强磁场下的高压连接导体,其特征在于:管状导体(2)的直径(D2)在20-60mm之间。 

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