[实用新型]具有多上炉室的晶柱成长装置

权利要求书

1.一种具有多上炉室的晶柱成长装置，其特征在于包括：

一底座；

一下炉室，是设置于该底座之上，该下炉室内部设置有一坩埚，该坩埚内具有一熔融液，该熔融液可成长为一晶柱；

一升降回旋装置，是装设于底座之上，该升降回旋装置是包括：

一支撑架，是设置于底座之上，以作为升降回旋装置的主体；

至少一支撑柱，是装设于该支撑架的一壁面，该支撑柱是作为升降回旋装置的回旋轴；

至少二支撑回旋机构，是枢接于支撑柱之上，该支撑回旋机构是能够以支撑柱为回旋轴而往返回旋；及

至少二升降机构，是设置于支撑架内部，并由支撑架内部向外延伸以枢接于支撑柱，借由该升降机构，可使得支撑回旋机构在支撑柱之上升降。

2.根据权利要求1所述的具有多上炉室的晶柱成长装置，其特征在于其中所述的该底座包括一下炉室垫块，该垫块置于下炉室的下方，该下炉室垫块具有一冷却机构可冷却下炉室。

3.根据权利要求1所述的具有多上炉室的晶柱成长装置，其特征在于其中所述的该下炉室包括：

一腔室，以容置该坩埚；及

一上盖，连接于腔室以作为其顶盖，该上盖之上设有一上炉室连接口，该上炉室连接口可与该第一上炉室及第二上炉室连接，使得该拉晶机构可通过上炉室连接口而进入腔室之内。

4.根据权利要求1所述的具有多上炉室的晶柱成长装置，其特征在于其中所述的该支撑架包括：

至少二升降孔，是设置于支撑架的该壁面，该升降孔可使得该升降机构可由支撑架内部向外延伸，以枢接于该支撑柱。