[实用新型]自动缓冲系统有效
申请号: | 201020262345.1 | 申请日: | 2010-07-16 |
公开(公告)号: | CN201773827U | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 唐强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动 缓冲 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种自动缓冲系统。
背景技术
在集成电路制造领域,晶片在制造过程中需要极其严格的洁净度条件。因此,半导体工厂均拥有大型风扇和循环风扇用以保持一种无尘环境和满足空调负载计算的需要;并在无尘室的不同位置安装了空气粒子监测系统,以监测任何可能的大量粒子的出现;此外,为了满足洁净度条件要求还采用一种非常严格的着装规定。然而,这些做法仍然难以满足晶片制造所要求的洁净度条件,并且成本高昂。为了提供半导体制造所需的洁净条件并降低传统半导体工厂的建设和运营费用,业界普遍应用自动缓冲系统(Factory Automated Buffering System,FABS),该自动缓冲系统旨在通过将晶片封闭在一个超洁净的小型环境中,同时放宽对这个小型环境以外的洁净度要求来防止晶片被污染。
请参考图1,其为现有的自动缓冲系统的示意图。如图1所示,自动缓冲系统100包括:壳体110、设置于壳体110内的装载端口(未图示)以及设置于壳体110内的晶片处理装置(未图示)。所述壳体110包括:顶盖111、前壁112、后壁(未图示)、第一侧壁114和第二侧壁(未图示),所述顶盖111、前壁112、后壁、第一侧壁114和第二侧壁连接构成容置空间,所述壳体110的后壁与一半导体加工装置(未图示)连接,且所述后壁上设置有开口,以使所述容置空间与所述半导体加工装置的工艺腔室连通构成超洁净的小型环境。在集成电路制造过程中,操作人员可手动将晶片盒130放置于顶盖111上,所述装载端口会自动打开晶片盒130,并将晶片盒130内的晶片置于所述小型环境中,接着所述晶片处理装置就会将晶片传送至半导体加工装置。一旦工艺步骤完成,晶片处理装置会将晶片放回晶片盒130,操作人员再将晶片盒130送往下一个步骤。
然而,在实际生产中发现,由于自动缓冲系统的体积较大,操作人员在行走过程中极易碰撞到壳体110,从而导致壳体110晃动,尤其是操作人员推着推车行进的过程中,推车极易碰撞所述壳体110,影响自动缓冲系统的正常运行。
实用新型内容
本实用新型提供一种自动缓冲系统,以解决现有的自动缓冲系统的壳体容易被碰撞,而导致自动缓冲系统无法正常运行的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种自动缓冲系统,所述自动缓冲系统包括:壳体、设置于所述壳体内的装载端口、以及设置于所述壳体内的晶片处理装置,所述自动缓冲系统还包括设置于所述壳体外侧的防护装置。
可选的,在所述自动缓冲系统中,所述壳体包括:顶盖、前壁、后壁、第一侧壁和第二侧壁,所述顶盖、前壁、后壁、第一侧壁和第二侧壁连接构成容置空间,所述后壁与一半导体加工装置连接。
可选的,在所述自动缓冲系统中,所述防护装置包括:设置于所述前壁外侧的前挡板、设置于所述第一侧壁外侧并与前挡板连接的第一侧挡板、以及设置于所述第二侧壁外侧并与前挡板连接的第二侧挡板,所述第一侧挡板和第二侧挡板平行间隔设置。
可选的,在所述自动缓冲系统中,所述前挡板的高度小于或等于所述前壁的高度,所述第一侧挡板的高度小于或等于所述第一侧壁的高度,所述第二侧挡板的高度小于或等于所述第二侧壁的高度。
可选的,在所述自动缓冲系统中,所述前挡板与前壁的距离为3~10cm,所述第一侧挡板与第一侧壁的距离为3~10cm,所述第二侧挡板与第二侧壁的距离为3~10cm。
可选的,在所述自动缓冲系统中,所述防护装置包括:设置于所述前壁外侧的第一前挡板和第二前挡板、设置于所述第一前挡板和第二前挡板之间的锁止部件、设置于所述第一侧壁外侧并与第一前挡板绞接的第一侧挡板以及设置于所述第二侧壁外侧并与第二前挡板绞接的第二侧挡板。
可选的,在所述自动缓冲系统中,所述防护装置包括:多个立柱以及设置于相邻的立柱之间的横栏,所述横栏通过螺钉与相邻的立柱连接。
可选的,在所述自动缓冲系统中,所述防护装置的材质为金属。
与现有技术相比,本实用新型提供的自动缓冲系统包括设置于壳体外侧的防护装置,所述防护装置可防止操作人员或推车碰撞壳体,确保所述自动缓冲系统的正常运行。
附图说明
图1为现有的自动缓冲系统的示意图;
图2为本实用新型实施例一提供的自动缓冲系统的示意图;
图3为本实用新型实施例二提供的自动缓冲系统的示意图;
图4为本实用新型实施例三提供的自动缓冲系统的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造