[实用新型]快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器无效
申请号: | 201020262418.7 | 申请日: | 2010-07-19 |
公开(公告)号: | CN201780434U | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 孙玉宝;杨国强 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | G02F1/13363 | 分类号: | G02F1/13363;G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/139 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 赵凤英 |
地址: | 300401 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 响应 透过 ips va 液晶显示器 | ||
1.一种快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为该液晶显示器包括:两个偏光片(分为起偏器和检偏器)、两个负C膜、液晶盒;其位置关系依次为:起偏器、第一负C膜、液晶盒、第二负C膜和检偏器;光线依次通过起偏器、第一负C膜、液晶盒、第二负C膜和检偏器。
2.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述的液晶盒是垂面排列的液晶盒,包括:玻璃基板、氧化铟锡电极(条状ITO电极)、取向层、液晶层、封边框胶和间隔物;其位置关系为:最外层为两片玻璃基板,下玻璃内表面为条状ITO像素电极,上玻璃内表面为条状ITO公共电极,再向里是取向层,中间为液晶层和间隔物。
3.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述的液晶盒中的两个条状ITO电极相同,均为:电极宽度为W=1~4μm,电极间距为G=4~20μm,上玻璃基板上的条状IT0公共电极位于下玻璃基板条状ITO像素电极间隙中心位置上方,且下玻璃基板条状ITO电极相邻电极(pixel 1和pixel 2)间加电势相反的电压。
4.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述的液晶盒中上下玻璃基板内表面上的条状ITO电极的宽度为W=1μm,电极间距为G=9μm。
5.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述的液晶盒中液晶层的厚度是4μm,液晶材料参数为:ε//=14,ε⊥=4,no=1.4794,ne=1.6,K11=10.87pN,K22=9.5pN,K33=15.37pN,γ1=0.1Pas;边界强锚定,上下两基板处液晶的预倾角度和方位角度都为90°和0°。
6.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述液晶盒中的间隔物为球形树脂粉间隔物,直径为4μm。
7.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述的液晶盒中的取向层为聚酰亚胺膜。
8.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述的两个负C膜的厚度均为21μm;折射率参数均为:ne=1.483,no=1.493。
9.如权利要求1快速响应和高透过率的IPS-VA液晶显示器,其特征为所述的起偏器和检偏器均为理想偏光片。
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