[实用新型]倒装薄的四边无引线封装的引线框及其封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于芯片封装技术领域，具体涉及一种薄的四边无引线封装(Thin Quad Flat Non-leaded Package，TQFN)的引线框，尤其涉及倒装薄的四边无引线封装(Flipchip Thin Quad Flat Non-leadedPackage，FCTQFN)的引线框及其封装结构。 

背景技术

封装是电子器件制造过程中一个非常重要的步骤，通过封装过程，可以将各种芯片(chip die)直接电路引出，以便于与外部电路电连接。对各种不同的芯片，通常会选择其相适用的封装形式。为适用电子器件的小型化发展，包括芯片、引线框、封装体的封装结构也要求小型化、薄型化发展。 

其中，TQFN(Thin Quad Flat Non-leaded Package，薄的四边无引线封装)封装形式通常用来封装薄的有功率要求的芯片。TQFN在小型化、薄型化方面相对其它封装形式突出。也如多数封装结构中一样，均包括用于直接焊接连接芯片的金属“骨架”形式的引线框，引线框可以为芯片提供机械支持、并可实现芯片与外部电路的连接。不同的封装形式对应具有不同的引线框结构。 

图1所示为现有技术的TQFN引线框结构示意图。图1所示实施例的引线框600包括小岛620、以及设置于小岛620四周的20个引脚610，小岛620区域之外的引脚610一般设置为小面积，其面积只要能满足金丝焊接即可。小岛620通常用于承载所封装的芯片(图中未示出)，在小岛620区域放置所要封装的芯片后，芯片和引脚之间通过打线工艺进行金丝键合；进一步完成后续工艺过程后采用塑封体(通常采用封装树脂形成)封装成型形成集成电路(IC)器件。 

然而，随着电子技术的发展，越来越多的IC器件被要求以低电压输出大电流，但是，大电流对互连电阻异常敏感，互连电阻越高，发热越大，损耗明显增加。因此，对于这种IC器件，互连电阻问题更加突 出。其中，电路封装是造成高互连电阻的一个重要原因，例如，图1所示引线框的TQFN封装形式的金丝键合，可能会带来较大的互连电阻。为降低这部分互连电阻，从加粗金丝的角度显然是代价昂贵的。因此，采用图1所示TQFN引线框对大输出电流的芯片进行TQFN封装时，不能满足高导热性、大电流低成本、低电感效应的要求。 

进一步，采用图1所示的引线框封装时，只能以用中间部分小岛外露的结构；并且为满足金丝键合的要求，小岛和引脚之间必须留有较大的空间，不利于封装器件的小型化。 

有鉴于此，本实用新型结合TQFN封装技术与倒装(Flipchip，FC)焊封装技术，提出了一种新型结构的TQFN的引线框。 

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，满足芯片的大输出电流以及低封装成本的要求、并使封装结构更加紧凑。 

为解决以上技术问题，本实用新型提供一种倒装薄的四边无引线封装的引线框，其包括与被封装的芯片的放置位置对应的第一区域部分，其特征在于，在所述第一区域部分上对应于所述芯片的焊盘位置处，所述引线框的引脚被设置在大致同一平面上。 

根据本实用新型所提供的引线框，其中，所述引线框的引脚包括设置在所述第一区域部分的边沿的第一引脚，所述第一引脚由所述第一区域的边沿向所述第一区域的中间延伸。所述引脚上设置有一个或一个以上用于与所述芯片的焊盘直接连接的植球点。 

具体地，所述第一引脚可以呈长指状。 

作为较佳技术方案，所述引线框的引脚包括设置在所述第一区域部分的中央的第二引脚。 

作为较佳技术方案，所述引线框包括与所述引脚相连接的半刻蚀区，所述半刻蚀区的厚度小于所述引脚的厚度。 

按照本实用新型又一方面，提供一种倒装薄的四边无引线封装的引线框阵列，其中，包含多个按行和列排列的以上所述及的任一种引线框。 

按照本实用新型再一方面，提供一种倒装薄的四边无引线封装的封装结构，其包括： 

以上所述及的任一种引线框； 

所封装的芯片；以及 

结构匹配于所述引线框的封装体； 

其中，所述芯片通过所述引线框的引脚上的植球点直接倒装焊接于所述引线框上。

根据本实用新型所提供的封装结构，所述芯片的输出电流约为10安培至20安培。 

作为较佳技术方案，所述引线框包括所述引线框包括与所述引脚相连接的半刻蚀区，所述半刻蚀区的厚度小于所述引脚的厚度，所述封装体包裹所述半刻蚀区以使其不外露。