[实用新型]负离子发生器无效

专利信息
申请号: 201020270073.X 申请日: 2010-07-20
公开(公告)号: CN201741986U 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 雷海东;高婷;赵琪 申请(专利权)人: 江汉大学
主分类号: H01T23/00 分类号: H01T23/00;A61L9/22
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 俞鸿
地址: 430056 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 负离子 发生器
【权利要求书】:

1.一种负离子发生器,它包括离子发射模块,其特征在于:它还包括驱动模块、变压器和电压倍增模块,其中,所述离子发射模块连接电压倍增模块,电压倍增模块连接变压器,变压器连接驱动模块。

2.根据权利要求1所述的负离子发生器,其特征在于:所述驱动模块为高频振荡电路,高频振荡电路的高频信号输出端口Vout用于连接所述变压器的初级线圈。

3.根据权利要求2所述的负离子发生器,其特征在于:所述高频振荡电路包括三极管BG1、石英晶体振荡器XTAL、电容C11~C14、电阻R11~R13,其中,所述三极管BG1的集电极连接电源Vcc,电源Vcc通过电容C14接地,三极管BG1的集电极和基极之间连接电阻R12,三极管BG1的基极通过电阻R11接地,三极管BG1的基极还通过石英晶体振荡器XTAL连接电容C11的一端,电容C11的另一端接地,三极管BG1的发射极和基极之间连接电容C12,,三极管BG1的发射极连接电阻R13的一端,电阻R13的另一端接地,电阻R13的两端之间连接电容C13,三极管BG1的发射极还连接高频振荡电路的高频信号输出端口Vout。

4.根据权利要求1所述的负离子发生器,其特征在于:所述电压倍增模块包括一组电压倍增单元,电压倍增单元包括二极管D1~D2和电容C1~C2,所述二极管的D1负极连接变压器的次级线圈的一端,二极管D1正极和变压器的次级线圈的另一端之间连接电容C1,二极管D2的正极和二极管D1的负极之间连接电容C2,二极管D2的负极连接二极管D1的正极,二极管D1的正极用于连接离子发射模块。

5.根据权利要求1所述的负离子发生器,其特征在于:所述电压倍增模块包括至少两组电压倍增单元,每组电压倍增单元均包括二极管D1~D2和电容C1~C2,其中,二极管D1的正极连接电容C1,二极管D1的负极和二极管D2的正极之间连接电容C2,二极管D2的负极连接二极管D1的正极;第一组电压倍增单元中的二极管D1负极连接变压器的次级线圈的一端,二极管D1的正极通过电容C1连接变压器的次级线圈的另一端;之后每组电压倍增单元中的电容C1均连接前一组电压倍增单元中的二极管D2的负极,之后每组电压倍增单元中的二极管D1的负极均连接前一组电压倍增单元中的二极管D2的正极,最后一组电压倍增单元中的二极管D1的正极用于连接离子发射模块。

6.根据权利要求1所述的负离子发生器,其特征在于:所述离子发射模块为转轴式离子发射模块,所述转轴式离子发射模块包括转子和金属转轴,转子通过其上的轴孔套接于金属转轴上,金属转轴和轴孔之间设置有绝缘层,所述金属转轴连接电压倍增模块的信号输出端。

7.根据权利要求6所述的负离子发生器,其特征在于:所述金属转轴的顶端为尖端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江汉大学,未经江汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020270073.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top